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1. (WO2013124906) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/124906    International Application No.:    PCT/JP2012/001304
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 24.02.2012
IPC:
H05H 1/46 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (For All Designated States Except US).
HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HIRAYAMA, Masaki; (JP)
Priority Data:
Title (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a plasma processing device that improves the uniformity of the density of plasma excited by high frequencies such as those of the VHF frequency band when using plasma on a substrate having a large size, that has a compact size, and that makes it possible to reduce production costs. The plasma processing device comprises: a waveguide member (401) that defines a waveguide (WG); first and second electrodes (450A, 450B) that are arranged so as to face a plasma formation space, that define a waveguide (WG) in cooperation with the waveguide member (401), and that are electrically connected with the waveguide member (401); a coaxial tube (225) that supplies electromagnetic energy within the waveguide; a dielectric plate (420) that is arranged within the waveguide (WG) and extends in the longitudinal direction (A); and first and second conductors (430A, 430B) that are arranged within the waveguide (WG) on at least one side of the width direction (B) of the waveguide with respect to the dielectric plate (420), that extend along the dielectric plate (420), and that are electrically connected to the first and the second electrodes. 
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement par plasma qui améliore l'uniformité de la densité d'un plasma qui est excité par des hautes fréquences comme celles de la bande de fréquences VHF lors de l'utilisation d'un plasma sur un substrat de grande taille, qui est de taille compacte et qui rend possible une réduction des coûts de production. Le dispositif de traitement par plasma comporte : un élément (401) de guide d'ondes qui définit un guide d'ondes (WG) ; des première et deuxième électrodes (450A, 450B) qui sont disposées de manière à faire face à un espace de formation de plasma, qui définissent un guide d'ondes (WG) en coopération avec l'élément (401) de guide d'ondes et qui sont reliées électriquement à l'élément (401) de guide d'ondes ; un tube coaxial (225) qui fournit une énergie électromagnétique à l'intérieur du guide d'ondes ; une plaque diélectrique (420) qui est disposée à l'intérieur du guide d'ondes (WG) et qui s'étend dans la direction longitudinale (A) ; et des premier et deuxième conducteurs (430A, 430B) qui sont disposés à l'intérieur du guide d'ondes (WG) sur au moins un côté de la direction transversale (B) du guide d'ondes par rapport à la plaque diélectrique (420), qui s'étendent le long de la plaque diélectrique (420) et qui sont reliés électriquement aux première et deuxième électrodes. 
(JA) 大きなサイズの基板に対して、VHF周波数帯のような高周波で励起されるプラズマの密度の均一性を改善しつつ、小型化および製造コストが低減できるプラズマ処理装置を提供する。導波路(WG)を画定する導波路部材(401)と、プラズマ形成空間に面するように配置され、導波路部材(401)と協働して導波路(WG)を画定するとともに導波路部材(401)と電気的に接続されている第1および第2の電極(450A,450B)と、電磁エネルギーを当該導波路内に供給する同軸管(225)と、導波路(WG)内に配置され、長手方向(A)に延在する誘電体板(420)と、導波路(WG)内において、誘電体板(420)に対して導波路の幅方向(B)における少なくとも一方側に配置され、誘電体板(420)に沿って延在するとともに、第1および第2の電極と電気的に接続された第1および第2の導電体(430A,430B)とを有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)