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1. (WO2013124719) METHODS OF PROVIDING THIN LAYERS OF CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND RELATED STRUCTURES AND DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/124719    International Application No.:    PCT/IB2013/000139
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 01.02.2013
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: SOITEC [FR/FR]; Chemin des Franques Park Technologique des Fontaines, Bernin F-38926 Crolles Cedex (FR)
Inventors: SADAKA, Mariam; (US).
RADU, Ionut; (FR)
Priority Data:
13/402,464 22.02.2012 US
1252148 09.03.2012 FR
Title (EN) METHODS OF PROVIDING THIN LAYERS OF CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND RELATED STRUCTURES AND DEVICES
(FR) PROCÉDÉS PERMETTANT D'OBTENIR DES COUCHES MINCES DE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR CRISTALLIN, ET STRUCTURES ET DISPOSITIFS ASSOCIÉS
Abstract: front page image
(EN)Methods of fabricating semiconductor devices include forming a metal silicide in a portion of a crystalline silicon layer, and etching the metal silicide using an etchant selective to the metal silicide relative to the crystalline silicon to provide a thin crystalline silicon layer. Silicon-on-insulator (SOI) substrates may be formed by providing a layer of crystalline silicon over a base substrate with a dielectric material between the layer of crystalline silicone and the base substrate, and thinning the layer of crystalline silicon by forming a metal silicide layer in a portion of the crystalline silicon, and then etching the metal silicide layer using an etchant selective to the metal silicide layer relative to the crystalline silicon.
(FR)L'invention concerne des procédés de fabrication de dispositifs semi-conducteurs comprenant la formation d'un siliciure métallique dans une partie d'une couche de silicium cristallin, et la gravure du siliciure métallique au moyen d'un agent de gravure ciblant le siliciure métallique par rapport au silicium cristallin pour permettre d'obtenir une couche mince de silicium cristallin. Des substrats SOI (silicium sur isolant) peuvent être formés en produisant une couche de silicium cristallin sur un substrat de base avec un matériau diélectrique entre la couche de silicium cristallin et le substrat de base, et en amincissant la couche de silicium cristallin par la formation d'une couche de siliciure métallique dans une partie du silicium cristallin, puis en gravant la couche de siliciure métallique à l'aide d'un agent de gravure ciblant la couche de siliciure métallique par rapport au silicium cristallin.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)