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1. (WO2013122489) APPLICATION OF FLUORINE DOPED TIN (IV) OXIDE SNO2:F FOR MAKING A HEATING LAYER ON A PHOTOVOLTAIC PANEL, AND THE PHOTOVOLTAIC PANEL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/122489    International Application No.:    PCT/PL2013/000017
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 14.02.2013
Chapter 2 Demand Filed:    05.11.2013    
IPC:
H01L 31/042 (2014.01)
Applicants: ML SYSTEM Spółka z ograniczoną odpowiedzialnością [PL/PL]; ul. Warszawska 50 d 35-230 Rzeszów (PL)
Inventors: SKUPIEŃ, Krzystof; (PL).
BORATYŃSKI, Paweł; (PL).
STANEK, Edyta; (PL).
CYCOŃ, Dawid; (PL)
Agent: WARZYBOK, Tadeusz; Biuro Patentowe "INICJATOR" Sp. z o.o. ul. Źołkiewskiego 7b/1 PL-35-203 Rzeszów (PL)
Priority Data:
12460005.7 16.02.2012 EP
Title (EN) APPLICATION OF FLUORINE DOPED TIN (IV) OXIDE SNO2:F FOR MAKING A HEATING LAYER ON A PHOTOVOLTAIC PANEL, AND THE PHOTOVOLTAIC PANEL
(FR) APPLICATION D'OXYDE D'ÉTAIN (IV) DOPÉ AU FLUOR SNO2:F POUR FABRIQUER UNE COUCHE CHAUFFANTE SUR UN PANNEAU PHOTOVOLTAÏQUE, ET PANNEAU PHOTOVOLTAÏQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention consists in application of fluorine doped tin (IV) oxide SnO2:F (FTO) for making a heating layer on a photovoltaic panel. The invention consists also in a photovoltaic panel characterized in that its front part (1) is covered with a conductive layer (2) of fluorine doped tin (IV) oxide SnO2:F, with the electrodes (3) deposited thereon. The conductive layer (2) becomes a heating layer when connected to the source of electric current. In preferred embodiment a transarent polymer film (4) is applied thereon, inseparably and permanently bound with the conductive layer (2) of fluorine doped tin (IV) oxide SnO2:F and the photovoltaic cell (5).
(FR)L'invention consiste à appliquer de l'oxyde d'étain (IV) dopé au fluor SNO2:F (FTO) pour fabriquer une couche chauffante sur un panneau photovoltaïque. L'invention consiste également en un panneau photovoltaïque caractérisé en ce que sa partie avant (1) est recouverte d'une couche conductrice (2) d'oxyde d'étain (IV) dopé au fluor SNO2:F, les électrodes (3) étant déposées à sa surface. La couche conductrice (2) devient une couche chauffante lorsqu'elle est connectée à la source de courant électrique. Dans le mode de réalisation préféré, un film polymère transparent (4) est appliqué à sa surface, lié de manière inséparable et permanente avec la couche conductrice (2) d'oxyde d'étain (IV) dopé au fluor SNO2:F et la cellule photovoltaïque (5).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)