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1. (WO2013122172) SEMICONDUCTOR DEVICE CLEANING LIQUID AND METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/122172    International Application No.:    PCT/JP2013/053584
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 14.02.2013
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP)
Inventors: HARADA Ken; (JP).
ITO Atsushi; (JP).
SUZUKI Toshiyuki; (JP)
Agent: HAMADA Yuriko; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2012-032860 17.02.2012 JP
2012-073633 28.03.2012 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE CLEANING LIQUID AND METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE
(FR) LIQUIDE DE NETTOYAGE DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE NETTOYER UN SUBSTRAT DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイス用洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a favorable semiconductor device cleaning liquid used after a CMP step. The present invention pertains to a semiconductor device cleaning liquid containing the following components (1) to (5) or (1)' to (4)': (1) inorganic alkali; (2) chelating agent; (3) anionic surfactant selected from sulfonic acid type and sulfuric acid type; (4) amine oxide-type surfactant; (5) water; (1)' inorganic alkali (2)' chelating agent having a carboxyl group; (3)' anionic surfactant selected from benzenesulphonic acid substituted by an alkyl group having 8 to 20 carbons, and salts thereof; (4)' water.
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un liquide de nettoyage de dispositif à semi-conducteur favorable qui est utilisé après une étape de CMP. La présente invention a trait à un liquide de nettoyage de dispositif à semi-conducteur qui contient les composants suivants (1) à (5) ou (1)' à (4)' : (1) alcali inorganique ; (2) agent chélatant ; (3) tensioactif anionique choisi parmi le type acide sulfonique et le type acide sulfurique ; (4) tensioactif de type oxyde d'amine ; (5) eau ; (1)' alcali inorganique (2)' agent chélatant doté d'un groupe carboxyle ; (3)' tensioactif anionique choisi parmi l'acide benzène sulfonique substitué par un groupe alkyle doté de 8 à 20 carbones et ses sels ; (4)' eau.
(JA) 本発明は、CMP工程後に用いられる良好な半導体デバイス用洗浄液を提供することを目的とする。 本発明は、下記成分(1)~(5)又は(1)'~(4)'を含む半導体デバイス用洗浄液に関する。 (1) 無機アルカリ (2) キレート剤 (3) スルホン酸型及び硫酸型から選ばれるアニオン性界面活性剤 (4) アミンオキシド型界面活性剤 (5) 水 (1)' 無機アルカリ (2)' カルボキシル基を有するキレート剤 (3)' 炭素数8~20のアルキル基で置換されたベンゼンスルホン酸およびその塩から選ばれるアニオン性界面活性剤 (4)' 水
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)