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1. (WO2013122165) COMPOUND PARTICLES, METHOD FOR PRODUCING COMPOUND PARTICLES, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/122165    International Application No.:    PCT/JP2013/053566
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 14.02.2013
IPC:
C01B 19/00 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventors: YAMADA, Kazuki; (JP).
INAI, Seiichiro; (JP).
TANAKA, Isamu; (JP).
TANIGAWA, Kotaro; (JP)
Priority Data:
2012-031517 16.02.2012 JP
Title (EN) COMPOUND PARTICLES, METHOD FOR PRODUCING COMPOUND PARTICLES, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) PARTICULES DE COMPOSÉ, PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE PARTICULES DE COMPOSÉ, PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 化合物粒子、化合物粒子の製造方法、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to increase the photoelectric conversion efficiency of a semiconductor layer and the photoelectric conversion efficiency of a photoelectric conversion device using the semiconductor layer. Compound particles of one embodiment of the present invention contain a group I-B element, indium element, gallium element and a chalcogen element. The ratio of the atomic concentration of the gallium element relative to the total atomic concentration of the indium element and the gallium element is higher in the surface portion than in the central portion.
(FR)Le but de la présente invention est d'augmenter le rendement de conversion photoélectrique d'une couche semi-conductrice et le rendement de conversion photoélectrique d'un dispositif de conversion photoélectrique à l'aide de la couche semi-conductrice. Des particules de composé d'un mode de réalisation de la présente invention contiennent un élément du groupe I-B, un élément indium, un élément gallium, et un élément chalcogène. Le rapport de la concentration atomique de l'élément gallium par rapport à la concentration atomique totale de l'élément indium et de l'élément gallium est plus grand dans la partie de surface que dans la partie centrale.
(JA) 本発明の目的は、半導体層およびそれを用いた光電変換装置の光電変換効率を高めることである。 本発明の一実施形態に係る化合物粒子は、I-B族元素、インジウム元素、ガリウム元素およびカルコゲン元素を含んだ化合物粒子であって、インジウム元素とガリウム元素との合計原子濃度に対するガリウム元素の原子濃度の比率が中心部よりも表面部で高い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)