WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013122023) SPIN IMPLANTATION ELECTRODE STRUCTURE AND SPIN TRANSPORT ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/122023    International Application No.:    PCT/JP2013/053179
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 12.02.2013
IPC:
H01L 29/82 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Applicants: TDK CORPORATION [JP/JP]; 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023 (JP)
Inventors: SASAKI Tomoyuki; (JP).
OIKAWA Tohru; (JP).
KOIKE Hayato; (JP)
Priority Data:
2012-029252 14.02.2012 JP
Title (EN) SPIN IMPLANTATION ELECTRODE STRUCTURE AND SPIN TRANSPORT ELEMENT
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE POUR IMPLANTATION DE SPIN ET ÉLÉMENT DE TRANSPORT DE SPIN
(JA) スピン注入電極構造、及びスピン伝導素子
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a spin implantation electrode structure and spin transport element that suppress spin scattering at interfaces, which arises because of offsetting of lattice constants between semiconductor channel layers and tunnel films and between tunnel films and ferromagnetic layers. [Solution] The spin implantation electrode structure is characterized by being provided with a semiconductor channel layer, a tunnel film provided on the semiconductor channel layer, a nonmagnetic spinel film provided on the tunnel film, and a ferromagnetic layer provided on the nonmagnetic spinel film.
(FR)[Problème] Fourniture d'une structure d'électrode pour implantation de spin et un élément de transport de spin supprimant la diffusion de spin au niveau des interfaces, qui se produit en raison du décalage des constantes de réseau entre des couches de canal semi-conductrices et des films tunnel, et entre des films tunnel et des couches ferromagnétiques. [Solution] La structure d'électrode pour implantation de spin est caractérisée par le fait qu'elle est dotée d'une couche de canal semi-conductrice, d'un film de spinelles non magnétique prévu sur le film tunnel et une couche ferromagnétique prévu sur le film de spinelles non magnétique.
(JA)【課題】半導体チャンネル層とトンネル膜、およびトンネル膜と強磁性層との間の格子定数のずれによって生じる界面でのスピン散乱を抑制し、スピンの効率的な注入を可能とするスピン注入電極構造、およびスピン伝導素子を提供する。 【解決手段】半導体チャンネル層と、半導体チャンネル層上に設けられたトンネル膜と、トンネル膜上に設けられた非磁性スピネル膜と、非磁性スピネル膜上に設けられた強磁性層とを備えることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)