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1. (WO2013122015) SOLID-STATE IMAGE SENSOR ELEMENT
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Pub. No.: WO/2013/122015 International Application No.: PCT/JP2013/053132
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 08.02.2013
IPC:
H01L 27/14 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
Applicants:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP
Inventors:
末吉 康彦 SUEYOSHI, Yasuhiko; null
Agent:
政木 良文 MASAKI, Yoshifumi; 大阪府大阪市中央区今橋4丁目3番6号 淀屋橋NAOビル7F Yodoyabashi NAO Bldg. 7F, 3-6, Imabashi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410042, JP
Priority Data:
2012-03034415.02.2012JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGE SENSOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT CAPTEUR D'IMAGE À L'ÉTAT SOLIDE
(JA) 固体撮像素子
Abstract:
(EN) Provided is a solid-state image sensor element equipped with light blocking sections that have good light blocking characteristics. A light blocking section (S) of the solid-state image sensor element has a multi-layer structure comprising: a lower-side light-blocking material layer (R1), which is a light-blocking material layer comprising light-blocking material; an intermediate refractory material layer (H2), which is a refractory material layer comprising refractory material and is formed on the upper face of the lower-side light-blocking material layer (R1); and an upper-side light-blocking material layer (R2), which is a light-blocking material layer and is formed on the upper face of the intermediate refractory material layer (H2).
(FR) L'invention concerne un élément capteur d'image à l'état solide équipé de sections de blocage de lumière qui ont de bonnes caractéristiques de blocage de lumière. Une section de blocage de lumière (S) de l'élément capteur d'image à l'état solide a une structure multicouche comprenant : une couche de matériau de blocage de lumière sur le côté inférieur (R1) qui est une couche de matériau de blocage de lumière comprenant un matériau bloquant la lumière ; une couche de matériau réfractaire intermédiaire (H2), qui est une couche de matériau réfractaire comprenant un matériau réfractaire et est formée sur la couche supérieure du matériau de blocage de lumière du côté inférieur (R1) ; une couche de matériau de blocage de lumière sur le côté supérieur (R2), qui est une couche de matériau de blocage de lumière et est formée sur la face supérieure de la couche de matériau réfractaire intermédiaire (H2).
(JA)  良好な遮光性を有する遮光部を備えた固体撮像素子を提供する。固体撮像素子が備える遮光部Sは、遮光性材料を有する遮光性材料層である下側遮光性材料層R1と、高融点材料を有する高融点材料層であり下側遮光性材料層R1の上面に形成される中間高融点材料層H2と、遮光性材料層であり中間高融点材料層H2の上面に形成される上側遮光性材料層R2と、から成る積層構造を有する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)