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1. (WO2013121970) METHOD FOR REMOVING BORON FROM SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/121970    International Application No.:    PCT/JP2013/052867
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 07.02.2013
Chapter 2 Demand Filed:    06.12.2013    
IPC:
C01B 33/037 (2006.01)
Applicants: THE FOUNDATION FOR THE PROMOTION OF INDUSTRIAL SCIENCE [JP/JP]; 4-6-1, Komaba, Meguro-ku, Tokyo 1538505 (JP)
Inventors: MORITA Kazuki; (JP).
YOSHIKAWA Takeshi; (JP).
MA Xiaodong; (JP)
Agent: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Priority Data:
2012-031993 16.02.2012 JP
Title (EN) METHOD FOR REMOVING BORON FROM SILICON
(FR) PROCÉDÉ POUR ÉLIMINER DU BORE À PARTIR DE SILICIUM
(JA) シリコンからのホウ素除去方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for removing boron from silicon, which is capable of efficiently removing boron from a starting material of silicon that is used for solar cells, thereby keeping the concentration of boron contained in the starting material low. This method for removing boron from silicon comprises: a first process wherein a first member that is composed of silicon containing boron and a second member that is composed of a low-melting-point metal are put in a crucible (101) and the first and second members are heated and melted within the crucible (101), thereby forming a desired alloy (102b); a second process wherein a slag (103a) is introduced into the crucible (101) after the first process so as to have the surface layer part of the alloy (102b) covered with the slag (103b), and the slag (103b) and the alloy (102b) are heated and reacted with each other, thereby transferring boron from the alloy (102b) to the slag (103b); and a third process wherein the slag (103c) is removed from the crucible (101) after the second process, thereby leaving only the alloy (102c) in the crucible (101).
(FR)L'invention concerne un procédé pour éliminer du bore à partir de silicium, qui est apte à éliminer efficacement du bore à partir d'une matière de départ de silicium qui est utilisée dans des cellules solaires, permettant ainsi de maintenir faible la concentration du bore contenu dans la matière de départ. Ce procédé pour éliminer du bore à partir de silicium comprend : un premier traitement dans lequel un premier élément qui est composé de silicium contenant du bore et un second élément qui est composé d'un métal à faible point de fusion sont placés dans un creuset (101) et les premier et second éléments sont chauffés et fondus à l'intérieur du creuset (101), permettant ainsi de former un alliage désiré (102b); un deuxième traitement dans lequel un laitier (103a) est introduit dans le creuset (101) après le premier traitement de façon à avoir la partie de couche de surface de l'alliage (102b) recouverte par le laitier (103b), et le laitier (103b) et l'alliage (102b) sont chauffés et mis à réagir l'un avec l'autre, permettant ainsi de transférer le bore de l'alliage (102b) au laitier (103b); et un troisième traitement dans lequel le laitier (103c) est retiré du creuset (101) après le deuxième traitement, permettant ainsi de ne laisser que l'alliage (102c) dans le creuset (101).
(JA)太陽電池に用いるシリコンの原料からホウ素を効率的に除去し、原料に含まれるホウ素の濃度を低く抑えることを可能とする、シリコンからのホウ素除去方法が提供される。そのようなシリコンからのホウ素除去方法は、ホウ素を含むシリコンからなる第一部材および低融点金属からなる第二部材を坩堝(101)に収容し、坩堝(101)内において両者を加熱して溶融させ、所望の合金(102b)を作製する第一工程と、第一工程を経た坩堝(101)内にスラグ(103a)を加え、スラグ(103b)により合金(102b)の表層部が覆われた状態として、スラグ(103b)と合金(102b)とを加熱して反応させ、合金(102b)からスラグ(103b)へホウ素を移動させる第二工程と、第二工程後に、坩堝(101)からスラグ(103c)を取り除き、坩堝(101)内を合金(102c)のみとする第三工程と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)