WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Options
Query Language
Stem
Sort by:
List Length
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2013121939) METHOD FOR MEASURING OVERLAY, MEASURING DEVICE, SCANNING ELECTRON MICROSCOPE, AND GUI
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/121939 International Application No.: PCT/JP2013/052657
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 06.02.2013
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
66
Testing or measuring during manufacture or treatment
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027
Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34165
Applicants: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION[JP/JP]; 24-14, Nishishimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventors: HARADA, Minoru; JP
NAKAGAKI, Ryo; JP
FUKUNAGA, Fumihiko; JP
TAKAGI, Yuji; JP
Agent: INOUE, Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220, JP
Priority Data:
2012-03230717.02.2012JP
Title (EN) METHOD FOR MEASURING OVERLAY, MEASURING DEVICE, SCANNING ELECTRON MICROSCOPE, AND GUI
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE MESURER LE RECOUVREMENT, DISPOSITIF DE MESURE, MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE ET IUG
(JA) オーバーレイ計測方法、計測装置、走査型電子顕微鏡およびGUI
Abstract:
(EN) A method for measuring overlay of a semiconductor device on which a circuit pattern is formed using a plurality of exposure steps, wherein the method for measuring overlay is characterized in being provided with an image-capturing step for capturing an image of a plurality of regions of the semiconductor device, a reference-image-setting step for setting a reference image based on a plurality of images captured in the image-capturing step, a difference-quantifying step for quantifying the difference between the reference image set in the reference-image-setting step and the plurality of images captured in the image-capturing step, and an overlay calculation step for calculating overlay on the basis of the difference quantified in the difference-quantifying step.
(FR) La présente invention a trait à un procédé permettant de mesurer le recouvrement d'un dispositif à semi-conducteur sur lequel un tracé de circuit est formé à l'aide d'une pluralité d'étapes d'exposition. Le procédé permettant de mesurer le recouvrement est caractérisé en ce qu'il est pourvu d'une étape de capture d'image permettant de capturer une image d'une pluralité de régions du dispositif à semi-conducteur, d'une étape de définition d'image de référence permettant de définir une image de référence en fonction d'une pluralité d'images capturées au cours de l'étape de capture d'image, d'une étape de quantification de différence permettant de quantifier la différence entre l'image de référence définie au cours de l'étape de définition d'image de référence et la pluralité d'images capturées au cours de l'étape de capture d'image, et d'une étape de calcul de recouvrement permettant de calculer le recouvrement en fonction de la différence quantifiée au cours de l'étape de quantification de différence.
(JA)  複数回の露光工程により回路パターンが形成されている半導体デバイスのオーバーレイを計測する方法であって、該半導体デバイスの複数の領域の画像を撮像する撮像ステップと、前記撮像ステップにて撮像された複数の撮像画像から基準画像を設定する基準画像設定ステップと、前記基準画像設定ステップにて設定した基準画像と前記撮像ステップにて撮像された該複数の撮像画像の差異を定量化する差異定量化ステップと、前記差異定量化ステップにて定量化した差異をもとにオーバーレイを算出するオーバーレイ算出ステップと、を備えることを特徴としたオーバーレイ計測方法である。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)