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1. (WO2013121926) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/121926    International Application No.:    PCT/JP2013/052560
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 05.02.2013
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP).
THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654 (JP)
Inventors: GUNJI Isao; (JP).
KASHIWAGI Yusaku; (JP).
SUGIYAMA Masakazu; (JP)
Agent: WATANABE Kazuhiro; 703, Hattori-Sagamihara Bldg., 13-2, Sagamihara 2-chome, Chuo-ku, Sagamihara-shi, Kanagawa 2520231 (JP)
Priority Data:
2012-028087 13.02.2012 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An amorphous or multicrystalline InP film (109A) embedded in a trench (107) is covered with a cap film (111) and the trench (107) is sealed. A Si wafer (W) is then heated at a temperature at or above the melting point of InP, causing the InP to melt. The InP is then cooled to a solid performed, whereby the InP film (109A) monocrystallizes, using the Si (001) surface on the bottom of the trench (107) as a seed crystal surface, resulting in a monocrystalline InP film (109B).
(FR)Un film d'InP polycristallin ou amorphe (109A) qui est incorporé dans une tranchée (107) est recouvert au moyen d'un film de protection (111) et une tranchée (107) est rendue étanche. Une tranche de Si (W) est ensuite chauffée à une température supérieure ou égale au point de fusion de l'InP, ce qui entraîne la fusion de l'InP. L'InP est ensuite refroidi jusqu'à être solide, ce qui permet au film d'InP (109A) de se monocristalliser, à l'aide de la surface de Si (001) au fond de la tranchée (107) en tant que surface de germe cristallin, ce qui permet d'obtenir un film d'InP monocristallin (109B).
(JA) トレンチ107内に埋め込まれたアモルファス状もしくは多結晶のInP膜109Aの上から、キャップ膜111を被覆してトレンチ107を密封した後、SiウエハWをInPの融点以上の温度で加熱してInPを融解させ、冷却して固化させることによって、トレンチ107の底のSi(001)面を種結晶面として、InP膜109Aを単結晶化させて単結晶InP膜109Bを形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)