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1. (WO2013121766) SPUTTER DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/121766    International Application No.:    PCT/JP2013/000728
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 12.02.2013
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: MIZUNO, Shigeru; (JP).
GOMI, Atsushi; (JP).
MIYASHITA, Tetsuya; (JP).
HATANO, Tatsuo; (JP).
MIZUSAWA, Yasushi; (JP)
Agent: INOUE, Toshio; 601, Storktower Odori-Park 3, 2-15-1, Yayoicho, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2310058 (JP)
Priority Data:
2012-028715 13.02.2012 JP
Title (EN) SPUTTER DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタ装置
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a sputter device with which the film deposition efficiency can be improved while maintaining high in-plane uniformity in the wafer with respect to the film deposition speed. [Solution] A target (21) is arranged so as to oppose a wafer (10) mounted on a mounting part (8) within a vacuum chamber (1), with the mounting part (8) configured as an opposing electrode. High-frequency power is supplied to the target (21), and a negative direct current voltage is applied, thereby forming an electrical field between the target (21) and the mounting part (8). An argon gas is plasmified by this electrical field, forming a highly uniform and high-density plasma, and Ar ions in the plasma collide with the target (21), and sputter particles are emitted. Because this plasma is generated, the film deposition efficiency can be improved while maintaining high in-plane uniformity in the wafer with respect to the film deposition speed, by bringing the distance between the target (21) and the mounting part (8) close to 30 mm or less.
(FR)L'invention vise à fournir un dispositif de pulvérisation cathodique avec lequel l'efficacité de dépôt de film peut être améliorée tout en maintenant une uniformité élevée dans le plan d'une plaquette par rapport à la vitesse de dépôt de film. A cet effet, une cible (21) est disposée afin de faire face à une plaquette (10) montée sur une partie de montage (8) dans une chambre sous vide (1), la partie de montage (8) configurée en tant qu'électrode opposée. Une énergie à haute fréquence est appliquée à la cible (21) et une tension négative de courant continu est appliquée, formant ainsi un champ électrique entre la cible (21) et la partie de montage (8). Un gaz argon est transformé en plasma par ce champ électrique, formant un plasma à uniformité élevée et à haute densité et des ions Ar dans le plasma entrent en collision avec la cible (21) et des particules de pulvérisation sont émises. Parce que ce plasma est généré, l'efficacité de dépôt de film peut être améliorée tout en maintenant l'uniformité élevée dans le plan de la plaquette par rapport à la vitesse de dépôt de film, en amenant la distance entre la cible (21) et la partie de montage (8) près de 30 mm ou moins.
(JA)【課題】基板上における成膜速度について高い面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることのできるスパッタ装置を提供すること。 【解決手段】真空容器1内の載置部8上に載置されたウエハ10に対向するようにターゲット21を配置し、載置部8を対向電極として構成する。ターゲット21に高周波電力の供給と負の直流電圧の印加とを行い、これによりターゲット21と載置部8の間に電界を形成する。Arガスはこの電界によりプラズマ化されて、均一性の高い高密度プラズマが形成され、プラズマ中のArイオンがターゲット21に衝突してスパッタ粒子が放出される。このようなプラズマが生成されることから、ターゲット21と載置部8との距離30mm以下に近づけることにより、基板上の成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)