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1. (WO2013121522) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/121522 International Application No.: PCT/JP2012/053377
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 14.02.2012
IPC:
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/16 (2006.01)
Applicants: MIYAMOTO, Noboru; JP (UsOnly)
TSUNODA, Yoshikazu; JP (UsOnly)
Mitsubishi Electric Corporation[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP (AllExceptUS)
Inventors: MIYAMOTO, Noboru; JP
TSUNODA, Yoshikazu; JP
Agent: TAKADA, Mamoru; Takada, Takahashi & Partners, 5th Floor, Intec 88 Bldg., 20, Araki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1600007, JP
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor element (3) is sandwiched between the bottom surface of cooling body (1) and the top surface of cooling body (2). A connection circuit (4) and communication device (5) are disposed on the bottom surface of cooling body (1), and a drive circuit (6) and communication device (7) are disposed on the top surface of cooling body (2). The aforementioned configuration is sealed by means of a resin (21). The connection circuit (4) generates a control signal in response to an external signal. Communication device (5) transmits said control signal, and communication device (7) receives said control signal and supplies same to the drive circuit (6). The drive circuit (6) drives the semiconductor element (3) in accordance with the control signal. The connection circuit (4) and communication device (5) on the low-voltage side are electrically insulated by means of the resin (21) from communication device (7) and the drive circuit (6) on the high-voltage side. Therefore, it is possible to prevent damages caused by the application of high voltage to the connection circuit (4) from the drive circuit (6).
(FR) L'invention concerne un élément semiconducteur (3) qui est pris en sandwich entre la surface inférieure du corps de radiateur (1) et la surface supérieure du corps de radiateur (2). Un circuit de connexion (4) et un dispositif de communication (5) sont disposés sur la surface inférieure du corps de radiateur (1), et un circuit d'attaque (6) et un dispositif de communication (7) sont disposés sur la surface supérieure du corps de radiateur (2). La configuration susmentionnée est scellée à l'aide d'une résine (21). Le circuit de connexion (4) produit un signal de commande en réponse à un signal extérieur. Le dispositif de communication (5) émet ledit signal de commande, et le dispositif de communication (7) reçoit ledit signal de commande et fournit ce dernier au circuit d'attaque (6). Le circuit d'attaque (6) commande l'élément semiconducteur (3) en fonction du signal de commande. Le circuit de connexion (4) et le dispositif de communication (5) sur le côté basse tension sont électriquement isolés à l'aide de la résine (21) du dispositif de communication (7) et du circuit d'attaque (6) sur le côté haute tension. Ainsi, il est possible d'éviter les détériorations causées par l'application d'une haute tension au circuit de connexion (4) par le circuit d'attaque (6).
(JA)  冷却体1の下面と冷却体2の上面に半導体素子3が挟まれている。接続回路4及び通信装置5が冷却体1の下面に設けられ、駆動回路6及び通信装置7が冷却体2の上面に設けられている。これらの構成が樹脂21により封止されている。接続回路4は、外部からの信号に応じて制御信号を生成する。この制御信号を通信装置5が送信し、それを通信装置7が受信して駆動回路6に供給する。駆動回路6は制御信号に応じて半導体素子3を駆動する。低圧側の接続回路4及び通信装置5と高圧側の通信装置7及び駆動回路6との間が樹脂21により電気的に絶縁されているため、駆動回路6から接続回路4に高電圧が印加されて破壊されるのを防ぐことができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)