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1. (WO2013121491) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/121491    International Application No.:    PCT/JP2012/007864
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 10.12.2012
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventors: MINAMIO, Masanori; .
TANAKA, Zyunya;
Agent: MORIMOTO INT'L PATENT OFFICE; ORIX Hommachi Bldg. 4th Floor, 4-1, Nishi-Honmachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5500005 (JP)
Priority Data:
2012-027895 13.02.2012 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor device is provided with an outer housing (1), a block module (2), and a control board (3) that controls a power semiconductor element (11a). The block module (2) has the power semiconductor element (11a) integrated therein, and has a second lead (4b) and a first lead (4a) led out therefrom. The outer housing (1) has an external connecting terminal (6a), which is in contact with the first lead (4a) of the block module (2) disposed in the outer housing, the second lead (4b) is connected to the control baord (3), and the first lead (4a) is bonded to the external connecting terminal (6a).
(FR)Ce dispositif à semi-conducteur est pourvu d'un boîtier externe (1), d'un module de bloc (2), et d'une carte de commande (3) qui commande un élément semi-conducteur de puissance (11a). Le module de bloc (2) intègre l'élément semi-conducteur de puissance (11a) et comporte un deuxième conducteur (4b) et un premier conducteur (4a) qui en dérivent. Le boîtier externe (1) a une borne de connexion externe (6a), qui est en contact avec le premier conducteur (4a) du module de bloc (2) disposé dans le boîtier extérieur, le deuxième conducteur (4b) est relié au tableau de commande (3) et le premier conducteur (4a) est relié à la borne de connexion externe (6a).
(JA) 半導体装置は、外装体1と、ブロックモジュール2と、パワー半導体素子11aを制御する制御基板3とを備えている。ブロックモジュール2は、パワー半導体素子11aを内蔵し、第2リード4bおよび第1リード4aが引き出されている。外装体1は、載置されたブロックモジュール2の第1リード4aに当接する外部接続端子6aを有しており、第2リード4bは制御基板3に接続され、第1リード4aは外部接続端子6aに接合されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)