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1. (WO2013121195) ELECTRONIC DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/121195    International Application No.:    PCT/GB2013/050337
Publication Date: 22.08.2013 International Filing Date: 13.02.2013
IPC:
H01L 29/66 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: PRAGMATIC PRINTING LTD [GB/GB]; Idea Space, Enterprise Centre 3 Charles Babbage Road Cambridge CB3 0GT (GB)
Inventors: GREGORY, John James; (GB).
PRICE, Richard David; (GB)
Agent: HARRISON GODDARD FOOTE; Saviour House 9 St Saviourgate York Yorkshire YO1 8NQ (GB)
Priority Data:
1202544.1 14.02.2012 GB
1214438.2 13.08.2012 GB
Title (EN) ELECTRONIC DEVICES
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES
Abstract: front page image
(EN)A method of manufacturing an electronic device comprising a first terminal (e.g. a source terminal), a second terminal (e.g. a drain terminal), a semiconductor channel connecting the first and second terminals and a gate terminal to which a potential may be applied to control a conductivity of the channel. The method comprises a first exposure of a photoresist from above the substrate using a mask and a second exposure from below the substrate, wherein in the second exposure the first and second terminals shield a part of the photoresist from exposure. An intermediate step reduces the solubility of the photoresist exposed in the first exposure. A window is formed in the photoresist at the location which was shielded by the mask, but exposed to radiation from below. Semiconductor material, dielectric material and conductor material are deposited inside the window to form a semiconductor channel, gate dielectric, and a gate terminal, respectively.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant une électrode (par exemple une source), une seconde électrode (par exemple un drain), un canal semi-conducteur reliant la première et la seconde électrode, et une électrode de grille à laquelle il est possible d'appliquer un potentiel pour contrôler une conductivité du canal. Ledit procédé comprend l'étape consistant à effectuer une première exposition d'une couche photorésistante à partir du dessus du substrat au moyen d'un masque et une seconde exposition à partir du dessous du substrat, la première et la seconde électrode protégeant de l'exposition une partie de la couche photorésistante pendant la seconde exposition. Le procédé comprend en outre une étape intermédiaire de réduction de la solubilité de la couche photorésistante exposée lors de la première exposition. Le procédé comprend de plus l'étape consistant à former une fenêtre dans la couche photorésistante, à l'emplacement qui était protégé par le masque mais exposé au rayonnement par le dessous. Le procédé comprend enfin l'étape consistant à déposer à l'intérieur de la fenêtre un matériau semi-conducteur, un matériau diélectrique et un matériau conducteur pour former un canal semi-conducteur, un diélectrique de grille et une électrode de grille respectivement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)