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1. (WO2013119975) SPIKE ANNEAL RESIDENCE TIME REDUCTION IN RAPID THERMAL PROCESSING CHAMBERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/119975 International Application No.: PCT/US2013/025377
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 08.02.2013
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: LI, Jiping[US/US]; US (US)
KOELMEL, Blake[US/US]; US (US)
HUNTER, Aaron Muir[US/US]; US (US)
ADERHOLD, Wolfgang R.[DE/US]; US (US)
APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
Inventors: LI, Jiping; US
KOELMEL, Blake; US
HUNTER, Aaron Muir; US
ADERHOLD, Wolfgang R.; US
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582, US
Priority Data:
13/370,16409.02.2012US
Title (EN) SPIKE ANNEAL RESIDENCE TIME REDUCTION IN RAPID THERMAL PROCESSING CHAMBERS
(FR) RÉDUCTION DU TEMPS DE TRAITEMENT DE RECUIT DE POINTE DANS DES CHAMBRES DE TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE
Abstract: front page image
(EN) The present invention generally relates to methods of cooling a substrate during rapid thermal processing. The methods generally include positioning a substrate in a chamber and applying heat to the substrate. After the temperature of the substrate is increased to a desired temperature, the substrate is rapidly cooled. Rapid cooling of the substrate is facilitated by increasing a flow rate of a gas through the chamber. Rapid cooling of the substrate is further facilitated by positioning the substrate in close proximity to a cooling plate. The cooling plate removes heat from substrate via conduction facilitated by gas located therebetween. The distance between the cooling plate and the substrate can be adjusted to create a turbulent gas flow therebetween, which further facilitates removal of heat from the substrate. After the substrate is sufficiently cooled, the substrate is removed from the chamber.
(FR) La présente invention concerne généralement des procédés de refroidissement d'un substrat pendant un traitement thermique rapide. Les procédés comprennent généralement le positionnement d'un substrat dans une chambre et l'application de chaleur sur le substrat. Après l'augmentation de la température du substrat jusqu'à une température souhaitée, le substrat est rapidement refroidi. Le refroidissement rapide du substrat est facilité par l'augmentation du débit d'un gaz dans la chambre. Le refroidissement rapide du substrat est encore facilité par le positionnement du substrat à proximité étroite d'une plaque de refroidissement. La plaque de refroidissement retire la chaleur du substrat par le biais d'une conduction facilitée par le gaz situé entre eux. La distance entre la plaque de refroidissement et le substrat peut être réglée de manière à créer un écoulement de gaz turbulent entre eux, ce qui facilite encore le retrait de chaleur du substrat. Une fois le substrat suffisamment refroidi, celui-ci est retiré de la chambre.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)