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1. (WO2013119881) MULTIFUNCTIONAL ELECTRODE
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Pub. No.: WO/2013/119881 International Application No.: PCT/US2013/025237
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 07.02.2013
IPC:
H01L 47/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
47
Bulk negative resistance effect devices, e.g. Gunn-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants: INTERMOLECULAR, INC[US/US]; 3011 North First Street San Jose, California 95134, US
Inventors: PHAM, Hieu; US
GOPAL, Vidyut; US
HASHIM, Imran; US
MINVIELLE, Tim; US
PRAMANIK, Dipankar; US
Agent: HELMS, Jr., Aubrey L.; 3011 North First Street San Jose, California 95134, US
Priority Data:
13/367,66207.02.2012US
Title (EN) MULTIFUNCTIONAL ELECTRODE
(FR) ÉLECTRODE MULTIFONCTIONNELLE
Abstract:
(EN) A nonvolatile memory element is disclosed comprising a first electrode, a near-stoichiometric metal oxide memory layer having bistable resistance, and a second electrode in contact with the near-stoichiometric metal oxide memory layer. At least one electrode is a resistive electrode comprising a sub-stoichiometric transition metal nitride or oxynitride, and has a resistivity between 0.1 and 10 Ω cm. The resistive electrode provides the functionality of an embedded current-limiting resistor and also serves as a source and sink of oxygen vacancies for setting and resetting the resistance state of the metal oxide layer. Novel fabrication methods for the second electrode are also disclosed.
(FR) La présente invention concerne un élément mémoire non volatile qui comprend une première électrode, une couche de mémoire à oxyde métallique quasi-stœchiométrique qui comporte une résistance bistable, et une seconde électrode en contact avec la couche de mémoire à oxyde métallique quasi-stœchiométrique. Au moins une électrode est une électrode résistive qui comprend un nitrure ou oxynitrure de métal de transition sous-stœchiométrique, et possède une résistivité entre 0,1 et 10 Ω cm. L'électrode résistive fournit la fonctionnalité d'une résistance encastrée de limitation de courant et sert également de source et de collecteur de lacunes d'oxygène pour régler, et remettre à l'état initial, l'état de résistance de la couche d'oxyde de métal. La présente invention concerne également de nouveaux procédés de fabrication pour la seconde électrode.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)