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1. (WO2013119548) SIC DEVICES WITH HIGH BLOCKING VOLTAGE TERMINATED BY A NEGATIVE BEVEL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/119548    International Application No.:    PCT/US2013/024740
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 05.02.2013
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/74 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01)
Applicants: CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703 (US)
Inventors: CHENG, Lin; (US).
AGARWAL, Anant, Kumar; (US).
O'LOUGHLIN, Michael, John; (US).
BURK, Jr., Albert, Augustus; (US).
PALMOUR, John, Williams; (US)
Agent: WITHROW, Benjamin, S.; Withrow & Terranova, P.L.L.C. 100 Regency Forest Drive Suite 160 Cary, North Carolina 27518 (US)
Priority Data:
13/366,658 06.02.2012 US
Title (EN) SIC DEVICES WITH HIGH BLOCKING VOLTAGE TERMINATED BY A NEGATIVE BEVEL
(FR) DISPOSITIFS AU SIC AVEC HAUTE TENSION DE BLOCAGE TERMINÉ PAR UN BISEAU NÉGATIF
Abstract: front page image
(EN)The present disclosure relates to a Silicon Carbide (SiC) semiconductor device having both a high blocking voltage and low on-resistance. In one embodiment, the semiconductor device has a blocking voltage of at least 10 kilovolts (kV) and an on-resistance of less than 10 milli-ohms centimeter squared (mΩ•cm2) and even more preferably less than 5 mΩ•cm2. In another embodiment, the semiconductor device has a blocking voltage of at least 15 kV and an on-resistance of less than 15 mΩ•cm2 and even more preferably less than 7 mΩ•cm2. In yet another embodiment, the semiconductor device has a blocking voltage of at least 20 kV and an on-resistance of less than 20 mΩ•cm2 and even more preferably less than 10 mΩ•cm2. The semiconductor device is preferably, but not necessarily, a thyristor such as a power thyristor, a Bipolar Junction Transistor (BJT), an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), or a PIN diode.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semiconducteur au carbure de silicium (SiC) présentant à la fois une haute tension de blocage et une faible résistance à l'état passant. Dans un mode de réalisation, le dispositif semiconducteur présente une tension de blocage d'au moins 10 kilovolts (kV) et une résistance à l'état passant inférieure à 10 milliohms-centimètre carré (mΩ•cm2) et idéalement inférieure à 5 mΩ•cm2. Dans un autre mode de réalisation, le dispositif semiconducteur présente une tension de blocage d'au moins 15 kV et une résistance à l'état passant inférieure à 15 mΩ•cm2 et idéalement inférieure à 7 mΩ•cm2. Dans un autre mode de réalisation encore, le dispositif semiconducteur présente une tension de blocage d'au moins 20 kV et une résistance à l'état passant inférieure à 20 mΩ•cm2 et idéalement inférieure à 10 mΩ•cm2. Le dispositif semiconducteur est de préférence, mais pas nécessairement, un thyristor tel qu'un thyristor de puissance, un transistor bipolaire à jonction (BJT), un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) ou une diode PIN.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)