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1. (WO2013119298) NANOPARTICLE COMPACT MATERIALS FOR THERMOELECTRIC APPLICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/119298 International Application No.: PCT/US2012/066190
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 21.11.2012
IPC:
H01L 35/16 (2006.01) ,H01L 35/28 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01)
Applicants: RESEARCH TRIANGLE INSTITUTE[US/US]; 3040 Cornwallis Road Research Triangle Park, NC 27709, US
NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY[US/US]; Campus Box 8210 Raleigh, NC 27695, US
Inventors: VENKATASUBRAMANIAN, Rama; US
STUART, Judy; US
WIITALA, Ryan; US
THOMAS, Peter; US
KOCH, Carl, C.; US
CHAN, Tsungta, Ethan; US
Agent: KUESTERS, Eckhard, H.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P. 1940 Duke Street Alexandria, VA 22314, US
Priority Data:
61/562,22921.11.2011US
Title (EN) NANOPARTICLE COMPACT MATERIALS FOR THERMOELECTRIC APPLICATION
(FR) MATÉRIAUX COMPACTS DE NANOPARTICULES DESTINÉS À UNE APPLICATION THERMOÉLECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN) A thermoelectric composite and a thermoelectric device and a method of making the thermoelectric composite. The thermoelectric composite is a semiconductor material formed from mechanically-alloyed powders of elemental constituents of the semiconductor material to produce nanoparticles of the semiconductor material, and compacted to have at least a bifurcated grain structure. The bifurcated grain structure has at least two different grain sizes including small size grains in a range of 2-200 nm and large size grains in a range of 0.5 to 5 microns. The semiconductor material has a figure of merit ZT, defined as a ratio of the product of square of Seebeck coefficient, S2, and electrical conductivity σ divided by the thermal conductivity k, which varies from greater than 1 at 300 K to 2.5 at temperatures of 300 to 500K.
(FR) La présente invention a trait à un composite thermoélectrique et à un dispositif thermoélectrique et à un procédé permettant de réaliser le composite thermoélectrique. Le composite thermoélectrique est un matériau semi-conducteur qui est constitué de poudres à alliage mécanique de constituants élémentaires du matériau semi-conducteur de manière à produire des nanoparticules du matériau semi-conducteur, et est compacté de manière à être doté au moins d'une structure des grains bifurquée. La structure des grains bifurquée est dotée au moins de deux grosseurs de grain différentes incluant des grains de petite taille dans une plage allant de 2 à 200 nm et des grains de grande taille dans une plage allant de 0,5 à 5 microns. Le matériau semi-conducteur est pourvu d'un facteur de mérite ZT, qui est défini comme étant le rapport du produit du carré du coefficient Seebeck, S2, et de la conductivité électrique σ divisé par la conductivité thermique k, qui varie d'une valeur supérieure à 1 à 300 K à une valeur de 2,5 à des températures de 300 à 500 K.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)