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1. (WO2013118748) OXIDE SPUTTERING TARGET AND PROTECTIVE FILM FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/118748    International Application No.:    PCT/JP2013/052679
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 06.02.2013
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C04B 35/453 (2006.01), G11B 7/254 (2013.01), G11B 7/257 (2013.01), G11B 7/26 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
Inventors: SAITO Atsushi; (JP).
MORI Rie; (JP)
Agent: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Priority Data:
2012-023397 06.02.2012 JP
2013-010035 23.01.2013 JP
Title (EN) OXIDE SPUTTERING TARGET AND PROTECTIVE FILM FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION D'OXYDE ET FILM DE PROTECTION POUR SUPPORT D'ENREGISTREMENT OPTIQUE
(JA) 酸化物スパッタリングターゲット及び光記録媒体用保護膜
Abstract: front page image
(EN)This invention provides an oxide sputtering target, as used for forming an optical recording medium protective film, capable of forming a flexible, difficult-to-crack film with high storage ability, and capable of direct-current sputtering with few particles during sputtering. The oxide sputtering target is an oxide sintered body containing, with respect to the total amount of metal component, at least a total of 0.15at% of at least one of Al, Ga, and In, at least 7at% of Sn, and no more than a total of 36at% of Al, Ga, In, and Sn, the remainder comprising Zn and unavoidable impurities.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation d'oxyde telle qu'utilisée pour former un film de protection de support d'enregistrement optique, pouvant former un film flexible résistant à la fissuration, ayant une grande capacité de mémoire et permettant une pulvérisation en courant continu avec peu de particules en cours de pulvérisation. La cible de pulvérisation d'oxyde est un corps fritté à l'oxyde contenant, par rapport à la quantité totale de composant métallique, un total d'au moins 0,15 % en pourcentage atomique d'au moins un élément parmi Al, Ga, et In, au moins 7 % en pourcentage atomique de Sn et pas plus d'un total de 36 % en pourcentage atomique de Al, Ga, In et Sn, le reste contenant du Zn et les inévitables impuretés.
(JA) 本発明は、光記録媒体保護膜形成用として、保存性が高く、柔軟性があって割れ難い膜を成膜できると共に、直流スパッタリング可能で、スパッタリング時のパーティクルも少ない酸化物スパッタリングターゲットを提供する。酸化物スパッタリングターゲットは、全金属成分量に対して、Al、Ga及びInのうち1種以上の合計:0.15at%以上、かつ、Sn:7at%以上で、Al、Ga、In及びSnの合計:36at%以下を含有し、残部がZn及び不可避不純物からなる酸化物焼結体である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)