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1. (WO2013118478) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/118478    International Application No.:    PCT/JP2013/000570
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 01.02.2013
IPC:
H01L 23/28 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/34 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventors: NASHIDA, Norihiro; (JP).
NAKAMURA, Hideyo; (JP)
Agent: MATSUMOTO, Yoichi; c/o FUJI ELECTRIC CO., LTD., 1, Fuji-machi, Hino-shi, Tokyo 1918502 (JP)
Priority Data:
2012-026346 09.02.2012 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)Recessed grooves (7) are provided on the side surfaces (5, 6) of respective conductive pattern (3) and a rear surface heat dissipating plate (4) of an insulating substrate (1) having the conductive pattern formed thereon, and the recessed grooves (7) are filled with a mold resin (15). A bonding area for the mold resin (15) is increased by providing the recessed grooves (7). Furthermore, anchor effects are generated due to having the recessed grooves (7) filled with the mold resin (15), and adhesiveness between the insulating substrate (1) and the mold resin (15) can be improved. As a result, reliability of a semiconductor device (100) can be improved. Furthermore, since the recessed grooves (7) are formed on the side surfaces (5, 6) of respective conductive pattern (3) and rear surface heat dissipating plate (4), an outer shape of the semiconductor device (100) is not increased.
(FR)Des rainures évidées (7) sont ménagées sur les surfaces latérales (5, 6) d'un motif conducteur (3) respectif et sur une plaque de dissipation de chaleur de surface arrière (4) d'un substrat isolant (1) sur lequel est formé le motif conducteur, et les rainures évidées (7) sont remplies d'une résine de moulage (15). Une zone de liaison pour la résine de moulage (15) est augmentée par la formation des rainures évidées (7). De plus, des effets d'ancrage sont produits par le remplissage des rainures évidées (7) avec la résine de moulage (15), et l'adhésivité entre le substrat isolant (1) et la résine de moulage (15) peut être améliorée. Il en résulte que la fiabilité d'un dispositif à semi-conducteur (100) peut être améliorée. De plus, étant donné que les rainures évidées (7) sont formées sur les surfaces latérales (5, 6) du motif conducteur (3) respectif et de la plaque de dissipation de chaleur de surface arrière (4), une forme extérieure du dispositif à semi-conducteur (100) n'est pas augmentée.
(JA) 導電パターン付絶縁基板1の導電パターン3および裏面放熱板4のそれぞれの側面5,6に凹状の溝7を設け、この凹状の溝7にモールド樹脂15が充填するようにする。凹状の溝7を設けることでモールド樹脂15の接着面積が増大する。また、モールド樹脂15が凹状の溝7に充填されることでアンカー(投錨)効果が発生し、導電パターン付絶縁基板1とモールド樹脂15との密着性を向上させることができる。その結果、半導体装置100の信頼性を向上させることができる。また、凹状の溝7が導電パターン3および裏面放熱板4のそれぞれの側面5,6に形成されているので、半導体装置100の外形が大きくなることはない。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)