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1. (WO2013118455) RESIST-FORMING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/118455    International Application No.:    PCT/JP2013/000454
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 29.01.2013
IPC:
H05K 3/46 (2006.01), H05K 1/11 (2006.01), H05K 1/16 (2006.01), H05K 3/40 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventors: SUGAYA, Yasuhiro; .
ISHITOMI, Hiroyuki; .
NAKAMURA, Tadashi;
Agent: NAITO, Hiroki; c/o Panasonic Corporation, 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Priority Data:
2012-024701 08.02.2012 JP
2012-242429 02.11.2012 JP
2012-242430 02.11.2012 JP
Title (EN) RESIST-FORMING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT DE FORMATION DE RÉSERVE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 抵抗形成基板とその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A resist-forming substrate has a first insulating layer, a first wiring formed on a first surface of the first insulating layer, a thin-film resist layer formed on a second surface of the first insulating layer, and a first via-hole conductor. The first via-hole conductor passes through the first insulating layer and is electrically connected with the first wiring and the thin-film resist layer. Nickel is a primary component of the thin-film resist layer. The first via-hole conductor has a metal portion having a low-melting-point metal and a high-melting-point metal, and a paste resin portion. The low-melting-point metal includes tin and bismuth, and has a melting point no higher than 300°. The high-melting-point metal includes at least one of either copper or silver, and has a melting point no lower than 900°. Both the paste resin portion and the metal portion of the first via-hole conductor contact the thin-film resist layer.
(FR)Un substrat de formation de réserve a une première couche isolante, un premier câblage formé sur une première surface de la première couche isolante, une couche de réserve de film mince formée sur une seconde surface de la première couche isolante, et un premier conducteur de trou d'interconnexion. Le premier conducteur de trou d'interconnexion passe à travers la première couche d'isolation et est connecté électriquement avec le premier câblage et la couche de réserve de film mince. Le Nickel est un composant primaire de la couche de réserve de film mince. Le premier conducteur de trou d'interconnexion présente une partie métallique ayant un métal à bas point de fusion et un métal à haut point de fusion, et une partie de résine en pâte. Le métal à bas point de fusion contient de l'étain et du bismuth, et présente un point de fusion inférieur ou égal à 300°. Le métal à haut point de fusion comprend au moins du cuivre ou de l'argent, et a un point de fusion supérieur ou égal à 900°. La partie de résine en pâte et la partie métallique du premier conducteur de trou d'interconnexion entrent toutes les deux en contact avec la couche de réserve de film mince.
(JA) 抵抗形成基板は、第1の絶縁層と、第1の絶縁層の第1面に形成された第1の配線と、第1の絶縁層の第2面に形成された薄膜抵抗層と、第1のビアホール導体と、を有する。第1のビアホール導体は、第1の絶縁層を貫通し、第1の配線と薄膜抵抗層に電気的に接続されている。薄膜抵抗層の主成分はニッケルである。第1のビアホール導体は、低融点金属と高融点金属とを有する金属部分と、ペースト樹脂部とを、有している。低融点金属は、錫とビスマスとを含み、融点が300度以下である。高融点金属は、銅または銀の少なくとも一つを含み、融点が900度以上である。第1のビアホール導体は、ペースト樹脂部と、金属部分との両方で、薄膜抵抗層と接している。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)