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1. (WO2013118442) THIN-FILM LAMINATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/118442    International Application No.:    PCT/JP2013/000383
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 25.01.2013
B32B 9/04 (2006.01), C08J 7/04 (2006.01)
Applicants: NIPPON SODA CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008165 (JP)
Inventors: SHIBATA, Hiromoto; (JP).
KUMAZAWA, Kazuhisa; (JP).
KIMURA, Nobuo; (JP)
Agent: HIROTA, Masanori; 6th Fl. Address Bldg., 2-2-19, Akasaka, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Priority Data:
2012-025024 08.02.2012 JP
2012-086540 05.04.2012 JP
(JA) 薄膜積層体
Abstract: front page image
(EN)This thin-film laminate has a first layer and a second layer formed on a resin substrate in the sequence listed, the thin-film laminate characterized in that: the first layer is an organic-inorganic composite thin film having a film thickness no less than 500 nm and containing a) a condensate of an organic silicon compound represented by RnSiX4-n and b) an organic polymeric compound; the second layer is either a) a metal oxide thin film that has a film thickness no greater than 200 nm and that is formed by the sol-gel process, the film thickness variation of the metal oxide thin film, represented by [film thickness variation [%] = 100 × (standard deviation of film thickness)/(average film thickness)] being less than 10%, or b) a gas barrier film having a film thickness no greater than 500 nm; the first layer has, on the side of the interface with the second layer, a layer in which the condensate of the organic silicon compound has concentrated; and the concentration of carbon atoms in the concentrated layer is 20%, or over 20%, less than the concentration of carbon atoms in the first layer at a depth of 300 nm from the interface between the first layer and the second layer.
(FR)Ce laminé à film fin a une première couche et une seconde couche formées sur un substrat de résine dans la séquence énumérée, le laminé à film fin caractérisé en ce que : la première couche est un film fin de composite organique-inorganique ayant une épaisseur de film qui n'est pas inférieure à 500 nm et contenant a) un condensat d'un composé de silicone organique représenté par RnSiX4-n et b) un composé polymère organique; la seconde couche est soit a) un film fin d'oxyde métallique qui a une épaisseur de film inférieure à 200 nm et qui est formé par le procédé sol-gel, la variation d'épaisseur de film du film fin d'oxyde métallique, représentée par [variation d'épaisseur de film [%] = 100 × (écart standard de l'épaisseur du film)/ (épaisseur moyenne du film)] étant inférieure à 10%, ou b) un film barrière aux gaz ayant une épaisseur de film inférieure à 500 nm; la première couche a, sur le côté de l'interface avec la deuxième couche, une couche dans laquelle le condensat du composé de silicone organique s'est concentré; et la concentration d'atomes de carbone dans la couche concentrée est de 20%, ou de plus de 20%, inférieure à la concentration d'atomes de carbone dans la première couche à une profondeur de 300 nm depuis l'interface entre la première couche et la seconde couche.
(JA) 本発明の薄膜積層体は、樹脂基体上に、第1層、第2層の順に形成された薄膜積層体において、第1層が、a)RnSiX4-nで表される有機ケイ素化合物の縮合物、及びb)有機高分子化合物を含有する、膜厚500nm以上の有機無機複合薄膜であり、第2層が、a)ゾルゲル法により形成された膜厚200nm以下の金属酸化物薄膜であって、且つ膜厚のばらつき [%] = 100×(膜厚の標準偏差)/(膜厚の平均値)で表される膜厚のばらつきが10%未満である金属酸化物薄膜、又は、b)膜厚500nm以下のガスバリア膜であり、且つ、第1層は第2層との界面側に上記有機ケイ素化合物の縮合物が濃縮した層を有し、該濃縮層の炭素原子の濃度は、第1層と第2層との界面から300nmの深さの第1層の炭素原子の濃度に比べて20%以上少ないことを特徴とする薄膜積層体である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)