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1. (WO2013118378) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BUILT-IN NON-VOLATILE MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/118378    International Application No.:    PCT/JP2012/081569
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 05.12.2012
IPC:
G11C 13/00 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: TAIYO YUDEN CO., LTD. [JP/JP]; 16-20, Ueno 6-chome, Taitou-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Inventors: ISHIGURO Takashi; (JP).
SHIMOMAI Kenichi; (JP).
NAKAJIMA Kyoko; (JP).
HIRONAKA Tetsuo; (JP).
TANIGAWA Kazuya; (JP)
Agent: TAKAHASHI Shinji; 8-7, Fukasawa 4-chome, Setagaya-ku, Tokyo 1580081 (JP)
Priority Data:
2012-025623 08.02.2012 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BUILT-IN NON-VOLATILE MEMORY
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR AVEC MÉMOIRE NON VOLATILE INCORPORÉE
(JA) 不揮発性メモリを内蔵する半導体装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device which is equipped with: an address decoder which decodes an address input from an address line in order to output a word selection signal to a word line; a memory cell array which has a plurality of non-volatile memory cells which are each disposed at positions where the respective word and data lines intersect, wherein the non-volatile memory cells use a portion of a phase-change film as a storage element, and one end of the phase-change film is connected to an electrode which is connected to a power supply voltage; and a data line voltage control unit which lowers the potential of the data line which is connected to the other end of the phase-change film in order to generate a phase-change in a portion of the phase-change film so as to write data to the non-volatile memory cell.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteur équipé : d'un décodeur d'adresses qui décode une adresse introduite en provenance d'une ligne d'adresse afin d'envoyer un signal de sélection de mot à une ligne de mots ; d'une matrice de cellules de mémoire qui comprend une pluralité de cellules de mémoire non volatile dont chacune est disposée à une position où les lignes respectives de mots et de données se croisent, les cellules de mémoire non volatile utilisant une partie d'un film à changement de phase en tant qu'élément de stockage, et une extrémité du film à changement de phase étant reliée à une électrode elle-même reliée à une tension d'alimentation ; et d'une unité de commande de tension de la ligne de données, qui abaisse le potentiel de la ligne de données qui est reliée à l'autre extrémité du film à changement de phase afin de générer un changement de phase dans une partie du film à changement de phase de façon à écrire des données dans la cellule de mémoire non volatile.
(JA) アドレス線から入力されるアドレスをデコードしてワード線にワード選択信号を出力するアドレスデコーダと、前記各ワード線と各データ線とが交差する位置にそれぞれ配置された複数の不揮発メモリセルを有し、前記不揮発性メモリセルは、相変化膜の一部を記憶素子として使用し、前記相変化膜の一端が電源電圧に接続した電極に接続している、メモリセルアレイと、前記相変化膜の他端に接続された前記データ線の電位を下げて、前記相変化膜の一部に相変化を生じさせ、前記不揮発メモリセルへデータを書き込むデータ線電圧制御部と、を備える半導体装置を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)