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1. (WO2013118341) CRUCIBLE FOR VAPOR DEPOSITION, VAPOR DEPOSITION DEVICE, AND VAPOR DEPOSITION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/118341 International Application No.: PCT/JP2012/073113
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 11.09.2012
IPC:
C23C 14/24 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
Applicants: KAKIUCHI, Ryohei[JP/JP]; JP (UsOnly)
YAMAMOTO, Satoru[JP/JP]; JP (UsOnly)
NITTO DENKO CORPORATION[JP/JP]; 1-2, Shimohozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680, JP (AllExceptUS)
Inventors: KAKIUCHI, Ryohei; JP
YAMAMOTO, Satoru; JP
Agent: FUJIMOTO, Noboru; Sakaisuji-Inabata Bldg. 2F, 15-14, Minamisemba 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5420081, JP
Priority Data:
2012-02745110.02.2012JP
Title (EN) CRUCIBLE FOR VAPOR DEPOSITION, VAPOR DEPOSITION DEVICE, AND VAPOR DEPOSITION METHOD
(FR) CREUSET POUR DÉPÔT EN PHASE VAPEUR, DISPOSITIF DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) 蒸着用坩堝及び蒸着装置並びに蒸着方法
Abstract: front page image
(EN) Provided are a crucible for vapor deposition, a vapor deposition device, and a vapor deposition method that allow a film formation rate to be detected by a sensor during vapor deposition by means of proximity deposition. This crucible has: a storage section for storing a deposition source; a first guide path for guiding a gasified material, which is emitted from the deposition source, toward a substrate to be treated; a wall section for demarcating the first guide path; and a second guide path that diverges from a middle part of the first guide path and communicates with the outside through the wall section.
(FR) L'invention concerne un creuset destiné au dépôt en phase vapeur, un dispositif de dépôt en phase vapeur et un procédé de dépôt en phase vapeur qui permettent la détection de la vitesse de formation de film par un capteur pendant le dépôt en phase vapeur au moyen d'un dépôt de proximité. Ce creuset présente : une section d'entreposage destinée à l'entreposage d'une source de dépôt ; une première voie de guidage destinée à guider un matériau gazéifié, émis à partir de la source de dépôt, vers un substrat à traiter ; une section de paroi destinée à délimiter la première voie de guidage ; et une deuxième voie de guidage qui diverge à partir d'une partie centrale de la première voie de guidage et communique avec l'extérieur à travers la section de paroi.
(JA)  近接蒸着による蒸着において、センサによって成膜レートを検出可能な蒸着用坩堝及び蒸着装置並びに蒸着方法を提供する。本発明に係る坩堝は、蒸着源を収容する収容部と、蒸着源から放出される気化材料を被処理基板に向けて案内する第1の案内通路と、第1の案内通路を区画するための壁部と、第1の案内通路の中途部から分岐するとともに該壁部を貫通して外部に連通する第2の案内通路とを有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)