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1. (WO2013118260) METHOD FOR TREATING INNER SURFACE OF CHLORINE TRIFLUORIDE SUPPLY PATH IN DEVICE USING CHLORINE TRIFLUORIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/118260 International Application No.: PCT/JP2012/052862
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 08.02.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: YOSHINO Yu[JP/JP]; JP (UsOnly)
KOIKE Kunihiko[JP/JP]; JP (UsOnly)
SAEDA Manabu[JP/JP]; JP (UsOnly)
MANABE Toshiki[JP/JP]; JP (UsOnly)
IWATANI CORPORATION[JP/JP]; 6-4, Hommachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP (AllExceptUS)
Inventors: YOSHINO Yu; JP
KOIKE Kunihiko; JP
SAEDA Manabu; JP
MANABE Toshiki; JP
Agent: SUZUE Shoji; Umeda East Building, 5-15, Taiyujicho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300051, JP
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR TREATING INNER SURFACE OF CHLORINE TRIFLUORIDE SUPPLY PATH IN DEVICE USING CHLORINE TRIFLUORIDE
(FR) PROCÉDÉ POUR LE TRAITEMENT DE LA SURFACE INTERNE D'UN TRAJET D'APPORT DE TRIFLUORURE DE CHLORE DANS UN DISPOSITIF UTILISANT DU TRIFLUORURE DE CHLORE
(JA) 三フッ化塩素使用装置での三フッ化塩素供給路の内面処理方法
Abstract: front page image
(EN) Provided is a method for treating the inner surface of a chlorine trifluoride supply path that enables reliable suppression of drops in the concentration of ClF3 in a reaction chamber during treatment work. A gas supply path (2) and a gas discharge path (3) are integrally connected to a treatment chamber (1) of a treatment device in which chlorine trifluoride is used as an etching gas. Chlorine trifluoride gas with a concentration equal to or greater than the concentration of the chlorine trifluoride gas supplied during etching treatment operation is allowed to act on the inner surfaces of at least the treatment chamber (1) and the gas supply path (2) from among the treatment chamber (1), the gas supply path (2), and the gas discharge path (3), thus coating the inner surfaces of at least the treatment chamber (1) and the gas supply path (2) with a fluoride film.
(FR) L'invention porte sur un procédé pour le traitement de la surface interne d'un trajet d'apport de trifluorure de chlore qui permet la suppression fiable de chutes de la concentration de ClF3 dans une chambre de réaction pendant une opération de traitement. Selon l'invention, un trajet d'apport de gaz (2) et un trajet d'évacuation de gaz (3) sont raccordés d'un seul tenant à une chambre de traitement (1) d'un dispositif de traitement dans lequel du trifluorure de chlore est utilisé comme gaz de gravure. Du gaz contenant du trifluorure de chlore à une concentration supérieure ou égale à la concentration du gaz contenant du trifluorure de chlore apporté pendant l'opération de traitement de gravure est amené à agir sur les surfaces internes d'au moins la chambre de traitement (1) et le trajet d'apport de gaz (2) parmi la chambre de traitement (1), le trajet d'apport de gaz (2) et le trajet d'évacuation de gaz (3), ce qui permet ainsi le revêtement des surfaces internes d'au moins la chambre de traitement (1) et le trajet d'apport de gaz (2) d'une couche de fluorure.
(JA)  処理作業時に反応室でのClFの濃度低下を確実に抑制できる三フッ化塩素供給路の内面処理方法を提供する。 三フッ化塩素をエッチングガスとして使用する処理装置の処理チャンバー(1)にガス供給路(2)およびガス排出路(3)を一体に連結し、この一体に形成された処理チャンバー(1)、ガス供給路(2)およびガス排出路(3)のうちの、少なくとも処理チャンバー(1)とガス供給路(2)との内面にエッチング処理操作時に供給する三フッ化塩素ガスの濃度と同じかそれよりも高濃度の三フッ化塩素ガスを作用させ、少なくとも処理チャンバー(1)とガス供給路(2)との内面をフッ化膜で被膜する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)