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1. (WO2013117170) IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/117170 International Application No.: PCT/CN2013/071582
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 08.02.2013
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: GALAXYCORE SHANGHAI LIMITED CORPORATION[CN/CN]; 11F., Building 2, No.560, Shengxia Road, Pudong New Area Shanghai 201203, CN
Inventors: ZHAO, Lixin; CN
HUO, Jieguang; CN
LI, Jie; CN
Agent: KING & WOOD MALLESONS; 20th Floor, East Tower World Financial Centre 1 Dongsanhuan Zhonglu, Chaoyang District Beijing 100020, CN
Priority Data:
201210030474.110.02.2012CN
Title (EN) IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 图像传感器及其制作方法
Abstract: front page image
(EN) Provided are an image sensor (100) and a manufacturing method therefor. The image sensor (100) comprises a substrate (101), a metal interconnection layer (102) being formed on the first side of the substrate (101); a first-type doping region (103) which is positioned in the substrate (101); a second-type doping region (105) which is positioned in the substrate (101) and is adjacent to the first-type doping region (103) to form a photodiode; an electrode layer (107) which is positioned on the second side of the substrate (101), the electrode layer (107) being transparent; and an insulating layer (109) which is positioned between the electrode layer (107) and the substrate (101). A preset potential difference exists between the electrode layer (107) and the substrate (101), so that a second-type conducting layer (111) is formed on the surface of the second side of the substrate (101).
(FR) La présente invention se rapporte à un capteur d'image (100) et à un procédé de fabrication associé. Le capteur d'image (100) comprend un substrat (101), une couche d'interconnexion métallique (102) formée sur le premier côté du substrat (101) ; une zone (103) de dopage de premier type qui est positionnée dans le substrat (101) ; une zone (105) de dopage de second type qui est positionnée dans le substrat (101) et qui est adjacente à la zone (103) de dopage de premier type, pour former une photodiode ; une couche (107) d'électrode qui est positionnée sur le second côté du substrat (101), la couche (107) d'électrode étant transparente ; et une couche isolante (109) qui est positionnée entre la couche (107) d'électrode et le substrat (101). Une différence de potentiel prédéfinie existe entre la couche (107) d'électrode et le substrat (101), de sorte qu'une couche (111) conductrice de second type est formée sur la surface du second côté du substrat (101).
(ZH) 提供了一种图像传感器(100)及其制作方法。该图像传感器(100)包括:衬底(101),所述衬底(101)的第一侧形成有金属互连层(102);第一类型掺杂区(103),其位于所述衬底(101)中;第二类型掺杂区(105),其位于所述衬底(101)中,并与所述第一类型掺杂区(103)相邻以形成光电二极管;电极层(107),其位于所述衬底(101)的第二侧,其中所述电极层(107)是可透光的;绝缘层(109),其位于所述电极层(107)与所述衬底(101)之间;其中,所述电极层(107)与所述衬底(101)之间具有预定电势差,以使得所述衬底(101)的第二侧的表面形成第二类型导电层(111)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)