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1. (WO2013116990) THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/116990    International Application No.:    PCT/CN2012/070940
Publication Date: 15.08.2013 International Filing Date: 07.02.2012
IPC:
G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; WANG, Kexin No. 9-2 Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN) (For All Designated States Except US).
JIA, Pei [CN/CN]; (CN) (For US Only).
YANG, Liuyang [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: JIA, Pei; (CN).
YANG, Liuyang; (CN)
Agent: ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY; WANG, Kexin Cyber Times Tower A Room 1409 Tian'an Cyber Park, Futian District ShenZhen, Guangdong 518040 (CN)
Priority Data:
201210025352.3 06.02.2012 CN
Title (EN) THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ D'OBTENTION
(ZH) 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)A thin-film transistor array substrate and a manufacturing method therefor. A first metal layer is deposited on a substrate (111), and then a first mask is utilized to form a gate electrode (112). A gate insulation layer (113) and a semiconductor layer (114) are deposited on the substrate (110), and then a second mask is utilized to retain the semiconductor layer (114) on the gate electrode (112). A transparent conductive layer and a second metal layer are deposited on the substrate (110), and then a multi-stage adjustment mask is used to form a source electrode (116), a drain electrode (117), a pixel electrode (1151), and a common electrode (1152). Thus, the manufacturing process is simplified.
(FR)L'invention a trait à un substrat de matrice de transistors en couches minces et à son procédé d'obtention consistant à : former une grille (112) à l'aide d'un premier masque après le dépôt d'une première couche métallique sur le substrat (111); maintenir une couche de semi-conducteur (114) au-dessus de la grille (112) à l'aide d'un second masque après dépôt sur le substrat (110) d'une couche d'isolation de grille (113) et de la couche de semi-conducteur (114); former une source (116), un drain (117), une électrode de pixel (1151) et une électrode commune (1152) à l'aide d'un masque d'ajustement de type multisection après dépôt sur le substrat (110) d'une couche conductrice transparente et d'une seconde couche métallique, avec pour effet de simplifier le processus de fabrication.
(ZH)一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,在基板(111)上沉积第一金属层后利用第一光罩形成栅极(112);在基板(110)上沉积栅绝缘层(113)和半导体层(114)后利用第二光罩保留栅极(112)上方的半导体层(114);在基板(110)上沉积透明导电层和第二金属层后利用多段式调整光罩形成源极(116)、漏极(117)、像素电极(1151)和共通电极(1152)。从而,简化了工艺制程。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)