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1. (WO2013116747) BUFFER LAYER STRUCTURES SUITED FOR III-NITRIDE DEVICES WITH FOREIGN SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/116747    International Application No.:    PCT/US2013/024470
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 01.02.2013
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 33/12 (2010.01)
Applicants: TRANSPHORM INC. [US/US]; 115 Castillian Drive Goleta, California 93117 (US)
Inventors: KELLER, Stacia; (US).
SWENSON, Brian L.; (US).
FICHTENBAUM, Nicholas; (US)
Agent: BOROVOY, Roger S.; FISH & RICHARDSON P.C. P. O. Box 1022 Minneapolis, Minnesota 55440-1022 (US)
Priority Data:
13/366,090 03.02.2012 US
Title (EN) BUFFER LAYER STRUCTURES SUITED FOR III-NITRIDE DEVICES WITH FOREIGN SUBSTRATES
(FR) STRUCTURES DE COUCHES TAMPONS APPROPRIÉES POUR DES DISPOSITIFS AU NITRURE III À SUBSTRATS ÉTRANGERS
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure include a buffer structure suited for III-N device having a foreign substrate. The buffer structure can include a first buffer layer having a first aluminum composition and a second buffer layer formed on the first buffer layer, the second buffer layer having a second aluminum composition. The buffer structure further includes a third buffer layer formed on the second buffer layer at a second interface, the third buffer layer having a third aluminum composition. The first aluminum composition decreases in the first buffer layer towards the interface and the second aluminum composition throughout the second buffer layer is greater than the first aluminum composition at the interface.
(FR)La présente invention, selon des modes de réalisation, concerne une structure tampon adaptée à des dispositifs au N-III comportant un substrat étranger. Selon l'invention, la structure tampon peut comprendre une première couche tampon ayant une première composition d'aluminium et une deuxième couche tampon formée sur la première couche tampon, la deuxième couche tampon ayant une deuxième composition d'aluminium. La structure tampon comprend en outre une troisième couche tampon formée sur la deuxième couche tampon au niveau d'une seconde interface, la troisième couche tampon ayant une troisième composition d'aluminium. La première composition d'aluminium diminue dans la première couche tampon en allant vers l'interface et la deuxième composition d'aluminium est supérieure, sur toute la deuxième couche tampon, à la première composition d'aluminium qui se trouve au niveau de l'interface.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)