WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013116323) METHOD OF MAKING PHOTOVOLTAIC DEVICES INCORPORATING IMPROVED PNICTIDE SEMICONDUCTOR FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/116323    International Application No.:    PCT/US2013/023824
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 30.01.2013
Chapter 2 Demand Filed:    25.11.2013    
IPC:
H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/075 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/20 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 2040 Dow Center Midland, Michigan 48674 (US).
CALIFORNIA INSITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; Office of Technology Transfer 1200 East California Boulevard M/C 210-85 Pasadena, CA 91125 (US)
Inventors: KIMBALL, Gregory M.; (US).
ATWATER, Harry A.; (US).
LEWIS, Nathan S.; (US).
BOSCO, Jeffrey P.; (US).
KRISTINE-LIGMAN FEIST, Rebekah; (US)
Agent: KAGAN, David, B.; Kagan Binder, PLLC Suite 200, Maple Island Building 221 Main Street North Stillwater, Minnesota 55082 (US)
Priority Data:
61/592,946 31.01.2012 US
Title (EN) METHOD OF MAKING PHOTOVOLTAIC DEVICES INCORPORATING IMPROVED PNICTIDE SEMICONDUCTOR FILMS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES COMPRENANT DES FILMS SEMI-CONDUCTEURS DE PNICTURE AMÉLIORÉS
Abstract: front page image
(EN)The present invention uses a treatment that involves an etching treatment that forms a pnictogen-rich region on the surface of a pnictide semiconductor film. The region is very thin in many modes of practice, often being on the order of only 2 to 3 nm thick in many embodiments. Previous investigators have left the region in place without appreciating the fact of its presence and/or that its presence, if known, can compromise electronic performance of resultant devices. The present invention appreciates that the formation and removal of the region advantageously renders the pnictide film surface highly smooth with reduced electronic defects. The surface is well-prepared for further device fabrication.
(FR)La présente invention concerne un traitement qui comprend un traitement de gravure qui forme une région riche en pnictogène sur la surface d'un film semi-conducteur en pnicture. La région est très mince dans de nombreux modes de réalisation, souvent de l'ordre de 2 à 3 nm d'épaisseur dans de nombreux modes de réalisation. Les chercheurs précédents ont laissé la région en place sans apprécier le fait de sa présence et/ou que sa présence, si elle est connue, peut compromettre le fonctionnement électronique des dispositifs résultants. La présente invention comprend que la formation et l'élimination de la région rendent de manière avantageuse la surface du film en pnicture extrêmement lisse avec des défauts électroniques réduits. La surface est bien préparée pour la fabrication suivante de dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)