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1. (WO2013116114) PACKAGING PHOTON BUILDING BLOCKS HAVING ONLY TOP SIDE CONNECTIONS IN A MOLDED INTERCONNECT STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/116114    International Application No.:    PCT/US2013/023261
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 25.01.2013
IPC:
H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/58 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Applicants: BRIDGELUX, INC. [US/US]; 101 Portola Avenue Livermore, CA 94551-7555 (US)
Inventors: WEST, R., Scott; (US).
TONG, Tao; (US).
KWON, Mike; (US).
SOLOMENSKY, Michael; (US)
Agent: WALLACE, Darien, K.; Imperium Patent Work P.O. Box 607 Pleasanton, CA 94566 (US)
Priority Data:
13/441,903 08.04.2012 US
61/594,371 02.02.2012 US
Title (EN) PACKAGING PHOTON BUILDING BLOCKS HAVING ONLY TOP SIDE CONNECTIONS IN A MOLDED INTERCONNECT STRUCTURE
(FR) ENCAPSULATION DE BLOCS DE COMPOSANTS PHOTONIQUES PRÉSENTANT UNIQUEMENT DES CONNEXIONS SUPÉRIEURES DANS UNE STRUCTURE D'INTERCONNEXION MOULÉE
Abstract: front page image
(EN)Standardized photon building blocks are packaged in molded interconnect structures to form a variety of LED array products. No electrical conductors pass between the top and bottom surfaces of the substrate upon which LED dies are mounted. Microdots of highly reflective material are jetted onto the top surface. Landing pads on the top surface of the substrate are attached to contact pads disposed on the underside of a lip of the interconnect structure. In a solder reflow process, the photon building blocks self-align within the interconnect structure. Conductors in the interconnect structure are electrically coupled to the LED dies in the photon building blocks through the contact pads and landing pads. Compression molding is used to form lenses over the LED dies and leaves a flash layer of silicone covering the landing pads. The flash layer laterally above the landing pads is removed by blasting particles at the flash layer.
(FR)Cette invention concerne des blocs de composants photoniques normalisés, encapsulés dans des structures d'interconnexion moulées de façon à former une diversité de produits à réseau de DEL. Aucun conducteur électrique ne traverse les surfaces supérieure et inférieure du substrat sur lequel sont montées les puces à DEL. Des micropoints de matériau hautement réfléchissant sont projetés sur la surface supérieure. Des plages d'accueil sur la surface supérieure du substrat sont reliées à des plages de contact disposées sur le côté inférieur d'une lèvre de la structure d'interconnexion. Dans un procédé de refusions, les blocs de composants photoniques s'auto-alignent avec la structure d'interconnexion. Les conducteurs de la structure d'interconnexion sont en mis en contact électrique avec les puces à DEL dans les blocs de composants photoniques par l'intermédiaire des plages de contact et des plages d'accueil. Des lentilles sont formées au-dessus des puces à DEL par moulage par compression et une mince couche de silicium est déposée sur les plages d'accueil. La couche mince disposée latéralement au-dessus des plages d'accueil est éliminée par projection de particules sur la couche mince.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)