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1. (WO2013115898) SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS, METHODS FOR MAKING SAME, COMPOSITIONS, AND PRODUCTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/115898 International Application No.: PCT/US2012/066154
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 20.11.2012
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: QD VISION, INC.[US/US]; 29 Hartwell Avenue Lexington, MA 02421, US
Inventors: LIU, Wenhao; US
BREEN, Craig; US
COE-SULLIVAN, Seth; US
Agent: FINNEGAN, Martha, Ann; QD Vision, Inc. 29 Hartwell Avenue Lexington, MA 02421, US
Priority Data:
61/595,11605.02.2012US
61/678,90202.08.2012US
Title (EN) SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS, METHODS FOR MAKING SAME, COMPOSITIONS, AND PRODUCTS
(FR) NANO-CRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉS POUR LEUR FABRICATION, COMPOSITIONS ET PRODUITS
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor nanocrystal characterized by having a solid state photoluminescence external quantum efficiency at a temperature of 90 deg C or above that is at least 95% of the solid state photoluminescence external quantum efficiency of the semiconductor nanocrystal at 25 deg C is disclosed. Populations, compositions, components and other products including semiconductor nanocrystals of the invention are further disclosed.
(FR) L'invention concerne un nano-cristal semi-conducteur caractérisé en ce qu'il présente un rendement quantique de photoluminescence externe à l'état solide à une température supérieure ou égale à 90°C représentant au moins 95% du rendement quantique de photoluminescence externe à l'état solide du nano-cristal semi-conducteur à 25°C. L'invention concerne également un nano-cristal semi-conducteur présentant une énergie d'activation de libération thermique de charges assistée par phonons LO multiples d'au moins 0.5eV; un nano-cristal semi-conducteur capable d'émettre une lumière avec une émission de crête maximale à une longueur d'onde située dans une gamme allant de 590 nm à 650 nm caractérisé par un spectre d'absorption, le rapport de l'absorption d'OD à 325 nm à l'absorption d'OD à 450 nm étant supérieur à 5,5; un nano-cristal semi-conducteur capable d'émettre une lumière avec une émission de crête maximale à une longueur d'onde située dans une gamme allant de 545 nm à 590 nm caractérisé par un spectre d'absorption, le rapport de l'absorption d'OD à 325 nm à l'absorption d'OD à 450 nm étant supérieur à 7; un nano-cristal semi-conducteur capable d'émettre une lumière avec une émission de crête maximale à une longueur d'onde située dans une gamme allant de 495 nm à 545 nm caractérisé par un spectre d'absorption, le rapport de l'absorption d'OD à 325 nm à l'absorption d'OD à 450 nm étant supérieur à 10; une composition comportant une pluralité de nano-cristaux semi-conducteurs, le rendement de photoluminescence à l'état solide de la composition à une température supérieure ou égale à 90°C représentant au moins 95% du rendement de photoluminescence à l'état solide de la composition à 25°C est en outre décrit. Un procédé de préparation de nano-cristaux semi-conducteurs comporte les étapes consistant à introduire un ou plusieurs précurseurs de chalcogénures de première coque et un ou plusieurs précurseurs de métaux de première coque dans un mélange de réaction comprenant des noyaux en nano-cristaux semi-conducteurs, les précurseurs de chalcogénures de première coque étant ajoutés dans une quantité supérieure à celle des précurseurs de métaux de première coque d'un factor d'au moins environ 2 équivalents molaires, et à faire réagir les précurseurs de première coque à une première température de réaction d'au moins 300°C pour former une première coque sur les noyaux en nano-cristaux semi-conducteurs. Des populations, des compositions, des composants et d'autres produits comprenant des nano-cristaux semi-conducteurs de l'invention sont décrits. Des populations, des compositions, des composants et d'autres produits comprenant des nano-cristaux semi-conducteurs fabriqués selon un procédé quelconque de l'invention sont également décrits.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)