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1. (WO2013115888) THERMOELECTRIC OXIDE-BASED MATERIALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/115888    International Application No.:    PCT/US2012/065453
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 16.11.2012
IPC:
C04B 35/495 (2006.01), C01G 33/00 (2006.01)
Applicants: CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 (US).
BACKHAUS-RICOULT, Monika [US/US]; (US)
Inventors: BACKHAUS-RICOULT, Monika; (US)
Agent: RUSSELL, Michael W; Corning Incorporated Intellectual Property Department SP-Ti-03-01 Corning, New York 14831 (US)
Priority Data:
13/298,633 17.11.2011 US
Title (EN) THERMOELECTRIC OXIDE-BASED MATERIALS
(FR) COMPOSITES THERMOÉLECTRIQUES À BASE D'OXYDE DE NIOBIUM
Abstract: front page image
(EN)A thermoelectric oxide material having at least one family of periodic planar crystallographic defects, where the planar defect interspacings match a significant fraction of the phonon dispersion (free path distribution) in the oxide material. As an example, a sub-stoichiometric, composite thermoelectric oxide material can be represented by the formula NbO2.5-x:M, where 0
(FR)L'invention concerne un matériau thermoélectrique à base d'oxyde présentant au moins une famille de défauts cristallographiques planaires périodiques, les espacements entre les défauts planaires correspondant à une partie significative de la dispersion des phonons (distribution de chemin libre) dans le matériau à base d'oxyde. A titre illustratif, un matériau thermoélectrique, composite, sous-stoechiométrique, à base d'oxyde peut être représenté par la formule NbO2,5-x:M, 0
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)