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1. (WO2013115351) PROCESSED MONOCRYSTAL MEMBER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/115351    International Application No.:    PCT/JP2013/052325
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 01.02.2013
IPC:
B23K 26/40 (2006.01), B23K 26/38 (2006.01), B28D 5/00 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU POLYMER CO., LTD. [JP/JP]; 1-9, Kanda-Sudacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SAITAMA UNIVERSITY [JP/JP]; 255, Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama-shi, Saitama 3388570 (JP)
Inventors: SUZUKI, Hideki; (JP).
KUNISHI, Yosuke; (JP).
MATSUO, Rika; (JP).
IKENO, Junichi; (JP)
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2012-020346 01.02.2012 JP
Title (EN) PROCESSED MONOCRYSTAL MEMBER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ELÉMENT DE MONOCRISTAL TRAITÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 単結晶加工部材およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The invention addresses the problem of providing a processed monocrystal member and a manufacturing method therefor, the processed monocrystal member facilitating detachment when forming relatively large thin monocrystal substrates by detachment from a modified layer formed in a monocrystal member while limiting the occurrence of defects in the detachment surface. The processed monocrystal member (20): is formed by concentrating laser light from the surface (20t) of the monocrystal member on the side that is irradiated into the interior of the monocrystal member; and comprises a processed region (21), which is at a distance from the surface (20t) and extends parallel to the surface (20t), and non-processed regions (22) adjacent to the processed region (21). Between the processed region (21) and the non-processed regions (22), continuous boundaries (23) are formed.
(FR)L'invention a trait à un élément de monocristal traite et un procédé de fabrication associé, ledit élément de monocristal traité facilitant le détachement lorsqu'il forme des substrats de monocristal relativement larges et fins à partir d'une couche modifiée étant formée dans un élément de monocristal en réduisant en même temps la possibilité de défauts sur la surface de détachement. L'élément de monocristal traite (20) : est formé à partir de la concentration d'une lumière laser de la surface (20t) de l'élément de monocristal sur le côté qui est illuminé à l'intérieur de l'élément de monocristal ; et comporte une région traitée (21), qui se trouve à une certaine distance de la surface (20t) et s'étend parallèlement à la surface (20t), des régions non-traitées (22) adjacentes à la région traitée (21). Des frontières continues (23) sont formées entre la région traitée (21) et les régions non-traitées (22).
(JA) 単結晶部材に形成した改質層から剥離させることで比較的大きくて薄い単結晶基板を形成した際、剥離面に不具合が生じることを抑えて容易に剥離可能とする単結晶加工部材およびその製造方法を提供することを課題とする。単結晶加工部材(20)は、単結晶部材の被照射側の表面(20t)から単結晶部材の内部にレーザ光を集光することで形成され、表面(20t)と離間しかつ表面(20t)と平行に延在する加工領域(21)と、加工領域(21)に隣接する非加工領域(22)と、を有する。加工領域(21)と非加工領域(22)との間には、連続する境界(23)が形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)