WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/115289    International Application No.:    PCT/JP2013/052125
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 31.01.2013
Chapter 2 Demand Filed:    08.05.2013    
C23C 14/34 (2006.01), C01B 33/02 (2006.01)
Applicants: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventors: TAKAMURA Hiroshi; (JP).
Agent: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2012-019753 01.02.2012 JP
(JA) 多結晶シリコンスパッタリングターゲット
Abstract: front page image
(EN)A polycrystalline silicon sputtering target produced by the melting method, characterized in that the number of nitride or carbide grains having a size of 100 µm or larger which are present in any cut surface of the target is less than 3 on average per 100 mm × 100 mm. Provided is a process for producing the polycrystalline silicon sputtering target, characterized by melting raw-material silicon with electron beams, pouring the molten silicon into a crucible heated to 90°C or higher to form a silicon ingot, and machining the ingot into a target. The inventors directed attention to polycrystalline silicon produced by the melting method, and the contents of silicon nitride and silicon carbide therein are reduced to obtain a good-quality polycrystalline silicon sputtering target and, simultaneously therewith, production steps therefor are devised to provide the polycrystalline silicon sputtering target having high bending strength.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation en silicium polycristallin produite par le procédé de fusion, caractérisée en ce que le nombre de grains de nitrure ou de carbure présentant une taille de 100 µm ou supérieure qui sont présents dans une quelconque surface de coupe de la cible est inférieur à 3 en moyenne par 100 mm × 100 mm. L'invention concerne un procédé de production d'une cible de pulvérisation en silicium polycristallin, caractérisé par la fusion du matériau brut de silicium à l'aide de faisceaux d'électrons, le versement du silicium fondu dans un creuset chauffé à 90°C ou plus pour former un lingot de silicium et l'usinage du lingot en une cible. L'invention concerne également le silicium polycristallin produit par le procédé de fusion, les teneurs en nitrure de silicium et en carbure de silicium y étant réduites en vue d'obtenir une cible de pulvérisation en silicium polycristallin de bonne qualité et, simultanément, les étapes de production étant conçues pour que la cible de pulvérisation en silicium polycristallin obtenue présente une résistance à la flexion élevée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)