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1. (WO2013115052) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/115052 International Application No.: PCT/JP2013/051422
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 24.01.2013
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP
Inventors: MIYAMOTO Tadayoshi; null
ITO Kazuatsu; null
MORI Shigeyasu; null
MIYAMOTO Mitsunobu; null
OGAWA Yasuyuki; null
NAKAZAWA Makoto; null
MATSUO Takuya; null
UCHIDA Seiichi; null
Agent: OKUDA Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Priority Data:
2012-01875131.01.2012JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor device (100A) has: a substrate (2); a gate electrode (3) formed on the substrate (2); a gate-insulating layer (4) formed on the gate electrode (3); an oxide semiconductor layer (5) formed on the gate-insulating layer (4); a source electrode (6s) and a drain electrode (6d) which are electrically connected to the oxide semiconductor layer (5); a first transparent electrode (7) which is electrically connected to the drain electrode (6d); an interlayer insulating layer (8) which includes a dielectric layer (8a) and is formed on the source electrode (6s) and the drain electrode (6d); and a second transparent electrode (9) formed on the interlayer insulating layer (8). At least part of the second transparent electrode (9) overlaps the first transparent electrode (7) with the dielectric layer (8a) interposed therebetween. The oxide semiconductor layer (5) and the first transparent electrode (7) are formed from the same oxide film.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100A) comprenant : un substrat (2) ; une électrode grille (3) formée sur le substrat (2) ; une couche isolante de grille (4) formée sur l'électrode grille (3) ; une couche d'oxyde semi-conducteur (5) formée sur la couche isolante de grille (4) ; une électrode source (6s) et une électrode drain (6d) qui sont connectées électriquement à la couche d'oxyde semi-conducteur (5) ; une première électrode transparente (7) qui est connectée électriquement à l'électrode drain (6d) ; une couche isolante intermédiaire (8) qui comprend une couche diélectrique (8a) et est formée sur l'électrode source (6s) et l'électrode drain (6d) ; et une seconde électrode transparente (9) formée sur la couche isolante intermédiaire (8). Au moins une partie de la seconde électrode transparente (9) recouvre la première électrode transparente (7), la couche diélectrique (8a) étant intercalée entre lesdites électrodes. La couche d'oxyde semi-conducteur (5) et la première électrode transparente (7) sont formées à partir du même film d'oxyde.
(JA)  半導体装置(100A)は、基板(2)と、基板(2)の上に形成されたゲート電極(3)と、ゲート電極(3)の上に形成されたゲート絶縁層(4)と、ゲート絶縁層(4)の上に形成された酸化物半導体層(5)と、酸化物半導体層(5)に電気的に接続されたソース電極(6s)およびドレイン電極(6d)と、ドレイン電極(6d)と電気的に接続された第1透明電極(7)と、ソース電極(6s)およびドレイン電極(6d)の上に形成された誘電体層8aを含む層間絶縁層(8)と、層間絶縁層(8)の上に形成された第2透明電極(9)とを有し、第2透明電極(9)の少なくとも一部は、誘電体層(8a)を介して第1透明電極(7)と重なっており、酸化物半導体層(5)および第1透明電極(7)は、同一の酸化物膜から形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)