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1. (WO2013114892) R-T-B-Ga-BASED MAGNET MATERIAL ALLOY AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/114892    International Application No.:    PCT/JP2013/000568
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 01.02.2013
IPC:
B22F 1/00 (2006.01), C22C 38/00 (2006.01), H01F 1/057 (2006.01)
Applicants: CHUO DENKI KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 272, Oaza Taguchi, Myoko-shi, Niigata 9492193 (JP)
Inventors: SAGUCHI, Akihiko; (JP).
NEGI, Noriyuki; (JP).
YONEMURA, Mitsuharu; (JP)
Agent: M. MORI PATENT FIRM; 17-23, Higashinaniwa-cho 5-chome, Amagasaki-shi, Hyogo 6600892 (JP)
Priority Data:
2012-020518 02.02.2012 JP
Title (EN) R-T-B-Ga-BASED MAGNET MATERIAL ALLOY AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ALLIAGE DE MATÉRIAUX MAGNÉTIQUES À BASE DE R-T-B-Ga ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) R-T-B-Ga系磁石用原料合金およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An R-T-B-Ga-based magnet material alloy (provided that R is at least one type of rare-earth element including Y, and T at least one type of transition element requiring Fe), wherein the alloy comprises a R2T14B phase (3) being the main phase and R-rich phases (1 and 2) in which R is concentrated, and by making the Ga content ratio (% by mass) of a non-crystal phase (1) within the R-rich phase higher than the Ga content ratio (% by mass) of a crystal phase (2) within the R-rich phase, the magnetic property of a rare-earth magnet used as a material is able to be improved and magnetic property variance is reduced. An average thickness of the R-T-B-Ga-based magnet material alloy no less than 0.1mm and no greater than 1.0mm is preferable in order to minimize formation of chill crystals and α-Fe crystallization.
(FR)La présente invention concerne un alliage de matériaux magnétiques à base de R-T-B-Ga (à condition que R représente au moins un type d'élément de terres rares comprenant Y, et T au moins un type d'élément de transition nécessitant Fe), l'alliage comprenant une phase R2T14B (3) comme phase principale et des phases riches en R (1 et 2) dans lesquelles R est concentré, et le rapport des teneurs en Ga (% en masse) d'une phase non cristalline (1) à l'intérieur de la phase riche en R étant supérieur au rapport des teneurs en Ga (% en masse) d'une phase cristalline (2) à l'intérieur de la phase riche en R, la propriété magnétique d'un aimant à base de terres rares utilisé comme matériau pouvant également être améliorée et la variance de la propriété magnétique réduite. Une épaisseur moyenne de l'alliage de matériaux magnétiques à base de R-T-B-Ga supérieure ou égale à 0,1 mm et inférieure ou égale à 1,0 mm est préférable afin de réduire au minimum la formation de cristaux de trempe et la cristallisation d'α-Fe.
(JA)R-T-B-Ga系磁石用原料合金(但し、RはYを含む希土類元素のうち少なくとも1種、TはFeを必須とする1種以上の遷移元素である)において、主相であるR14B相3と、Rが濃縮されたRリッチ相(1および2)とを含み、Rリッチ相内の非結晶相1におけるGa含有率(質量%)が、Rリッチ相内の結晶相2におけるGa含有率(質量%)よりも高くすることにより、原料として用いた希土類磁石において磁気特性を向上できるとともに、磁気特性のバラツキを低減できる。チル晶の形成およびα-Feの晶出を抑制するため、R-T-B-Ga系磁石用原料合金の平均厚みが0.1mm以上1.0mm以下であるのが好ましい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)