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1. (WO2013114863) METHOD FOR POLARIZING TERAHERTZ ELECTROMAGNETIC WAVE USING LIGHT POLARIZER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/114863    International Application No.:    PCT/JP2013/000470
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 29.01.2013
IPC:
G02B 5/30 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventors: TAKAHASHI, Kohei; .
KANNO, Tsutomu; .
SAKAI, Akihiro; .
YAMADA, Yuka;
Agent: KAMADA, Koichi; 8th Fl., UMEDA PLAZA BLDG. ANNEX, 4-3-25, Nishitenma, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Priority Data:
2012-019476 01.02.2012 JP
Title (EN) METHOD FOR POLARIZING TERAHERTZ ELECTROMAGNETIC WAVE USING LIGHT POLARIZER
(FR) PROCÉDÉ POUR LA POLARISATION D'UNE ONDE ÉLECTROMAGNÉTIQUE TÉRAHERTZ À L'AIDE D'UN POLARISEUR DE LUMIÈRE
(JA) 偏光子を用いてテラヘルツ電磁波を偏光させる方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a novel method for polarizing a terahertz electromagnetic wave using a light polarizer. This method uses a light polarizer to polarize an electromagnetic wave having a frequency of 0.1-0.8 THz. This method is equipped with a step (a) and a step (b). In step (a), a light polarizer having a sapphire single-crystal layer (11) and a CaxCoO2 crystal layer (12) is prepared. The CaxCoO2 crystal layer (12) is stacked on the sapphire single-crystal layer (11), the surface of the CaxCoO2 crystal layer (12) has a (010) plane orientation, and the CaxCoO2 crystal layer (12) has a thickness of 2-20 μm. In step (b), the light polarizer is exposed to an electromagnetic wave having a frequency of 0.1-0.8 THz, and an output wave having only a component that is parallel to the c-axis direction of the sapphire single-crystal layer (11) is emitted.
(FR)L'invention concerne un nouveau procédé de polarisation d'une onde électromagnétique térahertz à l'aide d'un polariseur de lumière. Ce procédé utilise un polariseur de lumière qui polarise une onde électromagnétique ayant une fréquence de 0,1-0,8 THz. Ce procédé est muni d'une étape (a) et d'une étape (b). Dans l'étape (a), un polariseur de lumière ayant une couche monocristalline de saphir (11) et une couche cristalline de CaxCoO2 (12) est préparé. La couche cristalline de CaxCoO2 (2) est empilée sur la couche monocristalline de saphir (11), la surface de la couche cristalline de CaxCoO2 (12) a une orientation de plan (010) et la couche cristalline CaxCoO2 (12) a une épaisseur de 2-20 µm. Dans l'étape (b), le polariseur de lumière est exposé à une onde électromagnétique ayant une fréquence de 0,1-0,8 THz et une onde de sortie ayant seulement une composante qui est parallèle à la direction de l'axe c de la couche monocristalline de saphir (11) est émise.
(JA) 偏光子を用いてテラヘルツ電磁波を偏光させる新規な方法を提供する。本発明は、0.1THz以上0.8THz以下の周波数を有する電磁波を、偏光子を用いて偏光させる方法である。この方法は、以下の工程(a)および工程(b)を具備する。工程(a)では偏光子が用意され、ここで、偏光子はサファイヤ単結晶層(11)およびCaCoO結晶層(12)を具備し、CaCoO結晶層(12)はサファイヤ単結晶層(11)上に積層されており、CaCoO結晶層(12)の表面は(010)の面方位を有し、CaCoO結晶層(12)は2μm以上20μm以下の厚みを有する。工程(b)では、0.1THz以上0.8THz以下の周波数を有する電磁波を偏光子に照射し、サファイヤ単結晶層(11)のc軸方向に平行な成分のみを有する出力波を出射する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)