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1. (WO2013114609) SILICON REFINING EQUIPMENT AND METHOD FOR REFINING SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/114609    International Application No.:    PCT/JP2012/052467
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 03.02.2012
IPC:
C01B 33/037 (2006.01)
Applicants: SILICIO FERROSOLAR S.L. [ES/ES]; Paseo de la Castellana 259D, 28046 Madrid (ES) (For All Designated States Except US).
DOHNOMAE Hitoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: DOHNOMAE Hitoshi; (JP)
Agent: SASAKI Kazuya; 5th Floor, TKK Nishishinbashi Bldg. 11-5, Nishi-shinbashi 2-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SILICON REFINING EQUIPMENT AND METHOD FOR REFINING SILICON
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE PURIFICATION DE SILICIUM
(JA) シリコン精製装置及びシリコン精製方法
Abstract: front page image
(EN)In this method for refining silicon by vacuum melting, the falling of impurity condensate from an impurity trap located above a crucible and contamination of the molten silicon are prevented. A crucible (4) for housing molten silicon (3), and a heating means (5) for heating the crucible (4) are located inside a treatment chamber (2) equipped with a vacuum pump (1); further provided are: an impurity trap having an impurity condensation unit for cooling and condensing the vapor of impurities evaporating from the liquid surface of the molten silicon; and a contamination prevention device for preventing contamination of the molten silicon, having an impurity catch unit for catching impurities when impurities trapped by the impurity trap fall.
(FR)Selon le procédé de purification de silicium par fusion sous vide, la chute d'un condensat d'impuretés depuis un dispositif de capture d'impuretés placé au-dessus d'un creuset, et la pollution d'un silicium en fusion sont inhibées. À l'intérieur d'une chambre de traitement (2) équipée d'une pompe à vide (1), sont placés le creuset (4) admettant le silicium en fusion (3) et un moyen de chauffage (5) chauffant le creuset (4). En outre, sont disposés à l'intérieur de la chambre de traitement (2) : le dispositif de capture d'impuretés qui possède une partie condensation d'impuretés refroidissant et condensant une vapeur d'impuretés s'évaporant depuis la surface liquide du silicium en fusion; et un dispositif d'inhibition de pollution qui possède une partie interception d'impuretés interceptant les impuretés lorsque les impuretés capturées par le dispositif de capture d'impuretés chutent, et qui empêche ainsi une pollution du silicium en fusion.
(JA) 真空溶解によるシリコン精製方法において、坩堝上方に配した不純物捕捉装置から不純物凝縮物が落下してシリコン溶湯が汚染するのを防止する。 真空ポンプ1を装備した処理室2内に、シリコン溶湯3を収容する坩堝4と坩堝4を加熱する加熱手段5とを配し、さらにシリコン溶湯の液面から蒸発する不純物蒸気を冷却して凝縮させる不純物凝縮部を有する不純物捕捉装置と、不純物捕捉装置で捕捉した不純物が落下した際に、この不純物を受け止める不純物受止部を有してシリコン溶湯の汚染を防ぐ汚染防止装置とを配置する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)