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1. (WO2013113571) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING CONVERTER ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/113571    International Application No.:    PCT/EP2013/050850
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 17.01.2013
IPC:
H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: GRÖTSCH, Stefan; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich (DE)
Priority Data:
10 2012 100 788.8 31.01.2012 DE
Title (DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT KONVERTERELEMENT
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING CONVERTER ELEMENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE DOTÉ D'UN ÉLÉMENT CONVERTISSEUR
Abstract: front page image
(DE)Das optoelektronische Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterchip (1) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung einer ersten Wellenlänge und ein Konverterelement (2) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung einer zweiten Wellenlänge mittels der von dem Halbleiterchip (1) erzeugten Strahlung auf, wobei die zweite Wellenlänge größer als die erste Wellenlänge ist. Weiterhin weist das optoelektronische Halbleiterbauelement eine optische Komponente auf, die auf einer von dem Halbleiterchip (1) abgewandten Seite des Konverterelements (2) angeordnet ist. Die optische Komponente umfasst ein Substrat (3), das auf einer von dem Konverterelement (2) abgewandten Seite mit einer Antireflexschicht versehen ist.
(EN)The optoelectronic semiconductor device comprises a semiconductor chip (1) for generating electromagnetic radiation having a first wavelength and a converter element (2) for generating electromagnetic radiation having a second wavelength by means of the radiation generated by the semiconductor chip (1), wherein the second wavelength is greater than the first wavelength. Furthermore, the optoelectronic semiconductor device comprises an optical component arranged on a side of the converter element (2) which faces away from the semiconductor chip (1). The optical component comprises a substrate (3) provided with an antireflection layer on a side facing away from the converter element (2).
(FR)Composant semi-conducteur optoélectronique comprenant une puce semi-conductrice (1) pour l'émission d'un rayonnement électromagnétique d'une première longueur d'onde, et un élément convertisseur (2) pour la production d'un rayonnement électromagnétique d'une seconde longueur d'onde à partir du rayonnement émis par la puce semi-conductrice (1), la seconde longueur d'onde étant plus grande que la première longueur d'onde. Le composant semi-conducteur optoélectronique comporte en outre un composant optique, placé sur la face de l'élément convertisseur (2) située à l'opposé de la puce semi-conductrice (1). Le composant optique comprend un substrat (3) qui est pourvu d'une couche anti-reflet sur la face située à l'opposé de l'élément convertisseur (2).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)