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1. (WO2013113537) OPTICAL ELEMENT, LITHOGRAPHIC APPARATUS INCORPORATING SUCH AN ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/113537    International Application No.:    PCT/EP2013/050395
Publication Date: 08.08.2013 International Filing Date: 10.01.2013
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), G02B 5/20 (2006.01), G21K 1/04 (2006.01), G02B 5/18 (2006.01)
Applicants: ASML NETHERLANDS B.V. [NL/NL]; P.O. Box 324 NL-5500 AH Veldhoven (NL)
Inventors: SINGH, Harmeet; (NL)
Agent: SIEM, Max Yoe Shé; P.O. Box 324 NL-5500 AH Veldhoven (NL)
Priority Data:
61/592,133 30.01.2012 US
Title (EN) OPTICAL ELEMENT, LITHOGRAPHIC APPARATUS INCORPORATING SUCH AN ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL ELEMENT
(FR) ELÉMENT OPTIQUE, APPAREIL LITHOGRAPHIQUE COMPRENANT CET ÉLÉMENT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT OPTIQUE
Abstract: front page image
(EN)A spectral purity filter is integrated with a collector optic (CO) in an EUV lithography apparatus. The element is coated on at least one surface (410) with a multilayer stack comprising a plurality of alternating material layers (for example Mo, Si) suitable for reflecting radiation of EUV wavelength. To manufacture the element, a substrate (402) is provided with a three-dimensional profile (410a, 412, 410b) on a scale much larger than the wavelength of EUV radiation. The multilayer stack is then applied as a series conformal coatings formed by atomic layer deposition on the substrate after formation of said profile. The profile, as reproduced in the MLM coating (310a, 312, 310b), forms a spectral purity filter. Unwanted radiation such as infrared radiation will be scattered or diffracted so that a reduced portion is reflected in the same direction as the reflected EUV radiation. The profile may be designed to form a phase grating, or a scattering texture.
(FR)Un filtre de pureté spectrale est intégré avec une optique de collecteur (CO) dans un appareil de lithographie EUV. L'élément est recouvert sur au moins une surface (410) d'un empilement à couches multiples comprenant plusieurs couches de matériaux alternantes (par exemple Mo, Si) permettant de réfléchir un rayonnement de longueur d'onde EUV. Afin de fabriquer l'élément, on utilise un substrat (402) possédant un profil tridimensionnel (410a, 412, 410b) sur une échelle bien plus importante que la longueur d'onde du rayonnement EUV. L'empilement de couches multiples est ensuite appliqué comme une série de revêtements conformes formés par dépôt de couche atomique sur le substrat après la formation dudit profil. Le profil, tel que reproduit dans le revêtement MLM (310a, 312, 310b), forme un filtre de pureté spectrale. Les rayonnements indésirables comme le rayonnement infrarouge sont diffusés ou diffractés de sorte qu'une partie réduite est réfléchie dans la même direction que le rayonnement EUV réfléchi. Le profil peut être conçu de manière à former un réseau de phase, ou une texture de diffusion.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)