WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013112941) METHOD OF FORMING CONFORMAL METAL SILICIDE FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/112941    International Application No.:    PCT/US2013/023303
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 25.01.2013
IPC:
C23C 16/42 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, TX 78741 (US) (US only)
Inventors: HASEGAWA, Toshio; (US).
TADA, Kunihiro; (JP).
YAMASAKI, Hideaki; (JP).
O'MEARA, David, L.; (US).
LEUSINK, Gerrit, J.; (US)
Agent: LUDVIKSSON, Audunn; 2545 W. Frye Road, Suite 1 Chandler, AZ 85224 (US)
Priority Data:
13/427,343 22.03.2012 US
61/591,843 27.01.2012 US
Title (EN) METHOD OF FORMING CONFORMAL METAL SILICIDE FILMS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILMS DE SILICIURE MÉTALLIQUE CONFORMES
Abstract: front page image
(EN)A method is provided for forming a metal silicide layer on a substrate. According to one embodiment the method includes providing the substrate in a process chamber, exposing the substrate at a first substrate temperature to a plasma generated from a deposition gas containing a metal precursor, where the plasma exposure forms a conformal metal-containing layer on the substrate in a self-limiting process. The method further includes exposing the metal-containing layer at a second substrate temperature to a reducing gas in the absence of a plasma, where the exposing steps are alternatively performed at least once to form the metal silicide layer, and the deposition gas does not contain the reducing gas. The method provides conformal metal silicide formation in deep trenches with high aspect ratios.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de siliciure métallique sur un substrat. Selon un mode de réalisation, le procédé consiste à se procurer le substrat dans une chambre de procédé, à exposer le substrat à une première température de substrat à un plasma généré à partir d'un gaz de dépôt contenant un précurseur métallique, où l'exposition au plasma forme une couche à teneur métallique, conforme, sur le substrat dans un procédé autolimitant. Le procédé comprend en outre l'exposition de la couche à teneur métallique à une seconde température de substrat à un gaz réducteur en l'absence d'un plasma, où les étapes d'exposition sont effectuées de façon alternée au moins une fois pour former la couche de siliciure métallique, et le gaz de dépôt ne contient pas le gaz réducteur. Le procédé fournit une formation de siliciure métallique conforme en tranchées profondes présentant des rapports d'allongement élevés.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)