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1. (WO2013112670) MICROSTRUCTURED ELECTRODE STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/112670    International Application No.:    PCT/US2013/022868
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 24.01.2013
IPC:
H01M 4/02 (2006.01), H01M 4/13 (2010.01), H01M 4/38 (2006.01), H01M 4/134 (2010.01), H01M 10/05 (2010.01)
Applicants: ENOVIX CORPORATION [US/US]; 46758 Lakeview Boulevard Fremont, California 95438 (US)
Inventors: LAHIRI, Ashok; (US).
SPOTNITZ, Robert; (US).
SHAH, Nirav; (US).
RAMASUBRAMANIAN, Murali; (US).
RUST III, Harrold J.; (US).
WILCOX, James D.; (US).
ARMSTRONG, Michael J.; (US).
BRUSCA, Brian; (US).
CASTLEDINE, Christopher; (US).
LAUCHLAN, Laurie J.; (US)
Agent: HEJLEK, Edward J.; BRYAN CAVE LLP 211 North Broadway, Suite 3600 St. Louis, Missouri 63102 (US)
Priority Data:
13/357,320 24.01.2012 US
Title (EN) MICROSTRUCTURED ELECTRODE STRUCTURES
(FR) STRUCTURES D'ÉLECTRODE MICROSTRUCTURÉE
Abstract: front page image
(EN)A structure for use in an energy storage device, the structure comprising a backbone system extending generally perpendicularly from a reference plane, and a population of microstructured anodically active material layers supported by the lateral surfaces of the backbones, each of the microstructured anodically active material layers having a void volume fraction of at least 0.1 and a thickness of at least 1 micrometer.
(FR)La présente invention a trait à une structure destinée à être utilisée dans un dispositif de stockage d'énergie, laquelle structure comprend un système de base qui s'étend en général de manière perpendiculaire à partir d'un plan de référence, et une population de couches de matière active de façon anodique microstructurées qui sont supportées par les surfaces latérales des éléments de base, chacune des couches de matière active de façon anodique microstructurées étant dotée d'une fraction de volume mort d'au moins 0,1 et d'une épaisseur d'au moins 1 micromètre.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)