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1. (WO2013112293) METHOD OF FORMING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYERS AND PHOTOVOLTAIC CELL THEREON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/112293    International Application No.:    PCT/US2013/021035
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 10.01.2013
Chapter 2 Demand Filed:    25.11.2013    
IPC:
H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: THE TRUSTEES OF DARTMOUTH COLLEGE [US/US]; 11 Rope Ferry Road Room 6210 Hanover, NH 03755 (US)
Inventors: LIU, Jifeng; (US).
WANG, Xiaoxin; (US)
Agent: BARTON, Steven, K.; Lathrop & Gage LLP 4845 Pearl East Circle, Suite 201 Boulder, CO 80301 (US)
Priority Data:
13/401,206 21.02.2012 US
61/590,660 25.01.2012 US
Title (EN) METHOD OF FORMING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYERS AND PHOTOVOLTAIC CELL THEREON
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES MONOCRISTALLINES ET CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE FORMÉE SUR CELLES-CI
Abstract: front page image
(EN)A method for forming single crystal or large-crystal-grain thin- film layers deposits a thin-film amorphous, nanocrystalline, microcrystalline, or polycrystalline layer, and laser-heats a seed spot having size on the order of a critical nucleation size of the thin-film layer. The single-crystal seed spot is extended into a single-crystal seed line by laser-heating one or more crystallization zones adjacent to the seed spot and drawing the zone across the thin-film layer. The single-crystal seed line is extended across the thin-film material layer into a single-crystal layer by laser-heating an adjacent linear crystallization zone and drawing the crystallization zone across the thin-film layer. Photovoltaic cells may be formed in or on the single-crystal layer. Tandem photovoltaic devices may be formed using one or several iterations of the method. The method may also be used to form single-crystal semiconductor thin-film transistors, such as for display devices, or to form single-crystal superconductor layers.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de couches minces monocristallines ou à grands grains cristallins, qui consiste à déposer une couche de film mince nanocristalline, microcristalline ou polycristalline, et à chauffer au laser un point germe dont la taille est de l'ordre de la taille de nucléation critique de la couche de film mince. Le point germe du monocristal est déployé sur une ligne germe de monocristal par le chauffage au laser d'une ou de plusieurs zones de cristallisation adjacente(s) au point germe, et l'étirage de la zone sur toute la couche du film mince. La ligne germe du monocristal est déployée sur toute la couche de matière du film mince de manière à former une couche monocristalline, par le chauffage au laser d'une zone de cristallisation linéaire adjacente et l'étirage de ladite zone sur toute la couche du film mince. Des cellules photovoltaïques peuvent être formées dans ou sur la couche monocristalline. Des dispositifs photovoltaïques en tandem peuvent être formés au moyen d'une ou de plusieurs itérations du procédé. Ce procédé peut aussi être utilisé pour former des transistors en couches minces semi-conductrices monocristallines, destinés par exemple à des dispositifs d'affichage, ou pour former des couches superconductrices monocristallines.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)