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1. (WO2013112105) METHOD OF PREPARING CAST SILICON BY DIRECTIONAL SOLIDIFICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/112105 International Application No.: PCT/SG2013/000034
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 28.01.2013
IPC:
C03B 11/00 (2006.01) ,C30B 28/06 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 11/14 (2006.01)
Applicants: MEMC SINGAPORE PTE, LTD.[SG/SG]; 11 Lorong 3 Toa Payoh Block B, Jackson Square 4th Floor Singapore 319579, SG
Inventors: CHEN, Jihong; US
DESHPANDE, Aditya; US
Agent: PATEL, Upasana; Marks & Clerk Singapore LLP Tanjong Pagar P O Box 636 Singapore 910816, SG
Priority Data:
13/360,11627.01.2012US
13/360,14427.01.2012US
Title (EN) METHOD OF PREPARING CAST SILICON BY DIRECTIONAL SOLIDIFICATION
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE SILICONE MOULÉ PAR SOLIDIFICATION DIRECTIONNELLE
Abstract: front page image
(EN) A method of preparing a cast silicon crystalline ingot is provided. The method comprises charging a silicon spacer to the bottom surface of the crucible; arranging a monocrystalline silicon seed crystal on the silicon spacer such that no surface of the monocrystalline silicon material is in contact with the bottom surface of the crucible; charging polycrystalline silicon feedstock to the crucible; and applying heat through at least one of the opening and the at least one sidewall in order to form a partially melted charge of silicon in the crucible. The cast silicon crystalline ingot has no transverse dimension less than about five centimeters, and the cast silicon crystalline ingot has a dislocation density of less than 1000 dislocations/cm2. Wafers sliced from the cast silicon crystalline ingot have solar cell efficiency of at least 17.5% and light induced degradation no greater than 0.2%.
(FR) L'invention porte sur un procédé de préparation d'un lingot cristallin de silicone moulé. Le procédé comprend un chargement d'un élément d'espacement de silicone vers la surface de fond du creuset ; un agencement d'un cristal germe de monocristallin de silicone sur l'élément d'espace de silicone de manière à ce qu'aucune surface du matériau de monocristallin de silicone est en contact avec la surface de fond du creuset ; un chargement de charge d'alimentation polycristallin de silicone dans le creuset ; et une application de chaleur à travers au moins une des ouvertures et au moins une paroi latérale afin de former une charge de silicone partiellement fondues dans le creuset. Ledit lingot cristallin de silicone moulé possède une dimension transversale n'étant pas inférieure à cinq centimètres approximativement et le lingot cristallin de silicone moulé a une densité de dislocation de moins de 1000 dislocations/cm2. Des plaquettes coupées à partir du lingot cristallin de silicone moulé ont une efficacité de photopiles d'au moins 17.5% et une dégradation lumineuse induite n'excédant pas 0.2%.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)