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1. (WO2013111812) FINE UNEVENNESS STRUCTURE BODY, DRY ETCHING THERMO-REACTIVE RESIST MATERIAL, MOLD FABRICATION METHOD, AND MOLD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/111812 International Application No.: PCT/JP2013/051432
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 24.01.2013
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,B29C 33/38 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION[JP/JP]; 1-105, Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018101, JP
Inventors: MITAMURA, Yoshimichi; JP
Agent: AOKI, Hiroyoshi; 5F, JS Ichigaya Bldg., 5-1, Goban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020076, JP
Priority Data:
2012-01482027.01.2012JP
2012-12827505.06.2012JP
2012-18525224.08.2012JP
Title (EN) FINE UNEVENNESS STRUCTURE BODY, DRY ETCHING THERMO-REACTIVE RESIST MATERIAL, MOLD FABRICATION METHOD, AND MOLD
(FR) CORPS À STRUCTURE D'IRRÉGULARITÉS FINES, MATÉRIAU DE RÉSERVE THERMO-RÉACTIF POUR GRAVURE CHIMIQUE À SEC, PROCÉDÉ DE FAÇONNAGE DE MOULE ET MOULE
(JA) 微細凹凸構造体、ドライエッチング用熱反応型レジスト材料、モールドの製造方法及びモールド
Abstract: front page image
(EN) Provided is a fine unevenness structure body (10), comprising an etching layer (11), and a resist layer (12) which is configured of a dry etching thermo-reactive resist material which is disposed upon the etching layer (11). An unevenness structure which corresponds to opening parts (12a) which are formed in the resist layer (12) is formed in the etching layer (11). The pattern pitch (P) of the fine pattern of the unevenness structure is 1-10nm. The pattern depth (H) of the fine pattern is 1-10nm. The pattern cross-section shapes of the fine pattern are trapezoids, triangles, or mixtures of these. The dry etching thermo-reactive resist material has at least one primary constituent element selected from a group consisting of copper, niobium, tin, manganese, oxides and nitrides of these, and nickel bismuth.
(FR) L'invention concerne un corps (10) à structure d'irrégularités fines, comportant une couche (11) de gravure chimique et une couche (12) de réserve qui est constituée d'un matériau de réserve thermo-réactif pour gravure chimique à sec disposé par-dessus la couche (11) de gravure chimique. Une structure d'irrégularités, qui correspond à des parties (12a) d'ouvertures formées dans la couche (12) de réserve, est formée dans la couche (11) de gravure chimique. Le pas (P) de motif du motif fin de la structure d'irrégularités est de 1 à 10 nm. La profondeur (H) de motif du motif fin est de 1 à 10 nm. Les formes de motif en section droites du motif fin sont des trapézoïdes, des triangles ou des mélanges de ceux-ci. Le matériau de réserve thermo-réactif pour gravure chimique à sec comprend au moins un élément constituant primaire choisi dans un groupe constitué du cuivre, du niobium, de l'étain, du manganèse, de leurs oxydes et nitrures, du nickel et du bismuth.
(JA)  微細凹凸構造体(10)は、エッチング層(11)と、前記エッチング層(11)上に設けられたドライエッチング用熱反応型レジスト材料で構成されたレジスト層(12)と、を具備し、前記レジスト層(12)に形成された開口部(12a)に対応する凹凸構造がエッチング層(11)に形成され、凹凸構造の微細パターンのパターンピッチPが1nm以上10μm以下であり、微細パターンのパターン深さHが1nm以上10μm以下であり、且つ、微細パターンのパターン断面形状が、台形又は三角形或いはそれらが混在している。ドライエッチング用熱反応型レジスト材料は、Cu、Nb、Sn及びMn、それらの酸化物及び窒化物並びにNiBiからなる群から選択された少なくとも1種を主たる構成元素とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)