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1. (WO2013111749) GLASS SUBSTRATE FOR CU-IN-GA-SE SOLAR CELLS, AND SOLAR CELL USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/111749    International Application No.:    PCT/JP2013/051196
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 22.01.2013
IPC:
C03C 3/087 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP)
Inventors: KUROIWA Yutaka; (JP).
NAKASHIMA Tetsuya; (JP).
YAMAMOTO Yuichi; (JP).
ABE Tomomi; (JP).
OKATO Takeshi; (JP).
USUI Reo; (JP).
TOMIZAWA Takeshi; (JP)
Agent: HAMADA Yuriko; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2012-012875 25.01.2012 JP
Title (EN) GLASS SUBSTRATE FOR CU-IN-GA-SE SOLAR CELLS, AND SOLAR CELL USING SAME
(FR) SUBSTRAT DE VERRE POUR CELLULES SOLAIRES À BASE DE CU-IN-GA-SE ET CELLULE SOLAIRE UTILISANT LEDIT SUBSTRAT DE VERRE
(JA) Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板及びそれを用いた太陽電池
Abstract: front page image
(EN)A glass substrate for CIGS solar cells of the present invention is produced by a selenization method. The ratio of Ca + Sr + Ba in the surface layer of the glass substrate to that in the inner part is 0.7 or less. The ratio of the Na2O content in the glass substrate surface to that in the inner part is 0.4-1.1. The ratio of Na in the surface layer of the glass substrate before a heat treatment to that after the heat treatment is 1.1 or more. At a depth of 5,000 nm or more from the glass substrate surface, the glass substrate contains, in mass percentage based on oxides below, 50-72% of SiO2, 1-15% of Al2O3, 0-10% of MgO, 0.1-11% of CaO, 0-13% of SrO, 0-11% of BaO, 1-11% of Na2O, 2-21% of K2O, 0-10.5% of ZrO2, 4-25% of MgO + CaO + SrO + BaO, 2-23% of CaO + SrO + BaO and 8-22% of Na2O + K2O, while satisfying Na2O/(CaO + SrO + BaO) ≤ 1.2. The glass substrate for CIGS solar cells has a glass transition temperature of 580˚C or more and an average thermal expansion coefficient of from 70 × 10-7 /˚C to 100 × 10-7 /˚C. The glass substrate is able to achieve a good balance between high power generation efficiency and high glass transition temperature.
(FR)La présente invention concerne un substrat de verre pour cellules solaires CIGS produit par un procédé de sélénisation. Le taux de Ca + Sr + Ba dans la couche de surface du substrat de verre par rapport à celui dans la partie interne est inférieur ou égal à 0,7. Le taux de la teneur en Na2O dans la surface du substrat de verre par rapport à celle dans la partie interne se situe dans la plage allant de 0,4 à 1,1. Le taux de Na dans la couche de surface du substrat de verre avant un traitement thermique par rapport à celui après le traitement thermique est supérieur ou égal à 1,1. À une profondeur supérieure ou égale à 5 000 nm à partir de la surface du substrat de verre, le substrat de verre contient, en pourcentage en masse sur la base des oxydes ci-dessous, de 50 à 72 % de SiO2, de 1 à 15 % d'Al2O3, de 0 à 10 % de MgO, de 0,1 à 11 % de CaO, de 0 à 13 % de SrO, de 0 à 11 % de BaO, de 1 à 11 % de Na2O, de 2 à 21 % de K2O, de 0 à 10,5 % de ZrO2, de 4 à 25 % de MgO + CaO + SrO + BaO, de 2 à 23 % de CaO + SrO + BaO et de 8 à 22 % de Na2O + K2O tout en respectant la relation Na2O/(CaO + SrO + BaO) ≤ 1,2. Le substrat de verre pour cellules solaires CIGS présente une température de transition vitreuse supérieure ou égale à 580 °C et un coefficient moyen de dilatation thermique situé dans la plage allant de 70 × 10-7/°C à 100 × 10 -7/°C. Le substrat de verre est apte à obtenir un bon équilibre entre un rendement de production d'énergie élevé et une température de transition vitreuse élevée.
(JA) 本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板は、セレン化法により作製される。ガラス基板表層と内部とのCa+Sr+Baの比は0.7以下である。ガラス基板表面と内部とのNaO含有量比は0.4~1.1である。ガラス基板表層のNaの熱処理前後比は1.1以上である。ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、SiOを50~72%、Alを1~15%、MgOを0~10%、CaOを0.1~11%、SrOを0~13%、BaOを0~11%、NaOを1~11%、KOを2~21%、ZrOを0~10.5%、MgO+CaO+SrO+BaOを4~25%、CaO+SrO+BaOを2~23%、NaO+KOを8~22%、NaO/(CaO+SrO+BaO)≦1.2、含有する。ガラス転移点温度は580℃以上、平均熱膨張係数は70×10-7~100×10-7/℃である。当該ガラス基板は、高い発電効率と高いガラス転移点温度とを両立できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)