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1. (WO2013111681) SUBSTRATE WITH TRANSPARENT ELECTRODE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/111681 International Application No.: PCT/JP2013/050923
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 18.01.2013
IPC:
H01B 5/14 (2006.01) ,B32B 9/00 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/58 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01)
Applicants: KANEKA CORPORATION[JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Inventors: KUCHIYAMA, Takashi; JP
HAYAKAWA, Hironori; JP
UEDA, Hiroaki; JP
FUJIMOTO, Takahisa; JP
YAMAMOTO, Kenji; JP
Agent: SHINTAKU, Masato; IZANAGI IP LAW FIRM, Toa Bldg., 5-7, Minamihonmachi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
Priority Data:
2012-01599527.01.2012JP
Title (EN) SUBSTRATE WITH TRANSPARENT ELECTRODE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT AVEC ÉLECTRODE TRANSPARENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 透明電極付き基板およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN) The present invention relates to a substrate with a transparent electrode, which has a transparent electrode layer on at least one surface of a transparent film base. The transparent film base has a transparent dielectric layer, which is mainly formed of an oxide, on the transparent electrode layer-side surface. In one embodiment of the present invention, the transparent electrode layer is a crystalline transparent electrode layer that has a crystallization degree of 80% or more. In this embodiment, the crystalline transparent electrode layer has a resistivity of 3.5 × 10-4 Ω·cm or less, a film thickness of 15-40 nm, an indium oxide content of 87.5-95.5% and a carrier density of from 4 × 1020 /cm3 to 9 × 1020 /cm3, and the substrate with a transparent electrode preferably has a thermal shrinkage initiation temperature of 75-120˚C as determined by thermomechanical analysis.
(FR) La présente invention concerne un substrat avec une électrode transparente, comprenant une couche d'électrode transparente sur une première surface d'un film de base transparent. Le film de base transparent présente une première couche diélectrique transparente qui est principalement constituée d'un oxyde, sur la surface côté couche d'électrode transparente. Selon un mode de réalisation de l'invention, la couche d'électrode transparente est une couche d'électrode transparente cristalline présentant un degré de cristallisation supérieur ou égal à 80 %. Dans ledit mode de réalisation, la couche d'électrode transparente cristalline a une résistivité inférieure ou égale à 3,5 × 10-4 Ω·cm, une épaisseur de couche de 15 à 40 nm, une teneur en oxyde d'indium de 87,5 à 95.5 % et une densité de porteurs allant de 4 × 1020/cm3 à 9 × 1020/cm3. Le substrat présentant une électrode transparente présente de préférence une température d'initiation de contraction thermique allant de 75 à 120˚C, telle que déterminée par analyse thermomécanique.
(JA)  本発明は、透明フィルム基材の少なくとも一方の面に、透明電極層を有する透明電極付き基板に関する。透明フィルム基材は、透明電極層側の表面に酸化物を主成分とする透明誘電体層を有する。一実施形態において、透明電極層は結晶化度が80%以上の結晶質透明電極層である。当該実施形態では、結晶質透明電極層は、抵抗率が3.5×10-4Ω・cm以下、膜厚が15nm~40nm、酸化インジウムの含有量が87.5%~95.5%、キャリア密度が4×1020/cm~9×1020/cmであり、かつ透明電極付き基板は、熱機械分析により測定される熱収縮開始温度が75℃~120℃であることが好ましい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)