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Pub. No.:    WO/2013/111609    International Application No.:    PCT/JP2013/050002
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 04.01.2013
C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Applicants: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventors: NAGATA Kenichi; (JP).
OTSUKI Tomio; (JP).
OKABE Takeo; (JP).
MAKINO Nobuhito; (JP).
Agent: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2012-011235 23.01.2012 JP
(JA) 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット
Abstract: front page image
(EN)A high-purity copper-manganese alloy sputtering target which contains 0.05 to 20wt% of Mn with the balance consisting of Cu and unavoidable impurities except additional elements, characterized by containing 0.001 to 0.06 wtppm of P and 0.005 to 5 wtppm of S and further containing Ca and Si with the total content of P, S, Ca and Si being 0.01 to 20 wtppm. Such incorporation of proper amounts of Mn, Ca, P, Si and S in copper improves the machinability necessary in a target-making step, facilitates target making (processing), improves the surface smoothness of a target, and minimizes the generation of particles in sputtering. Thus, provided is a high-purity copper-manganese alloy sputtering target which is particularly useful for improving the yield and reliability of highly miniaturized and integrated semiconductor products.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation d'alliage cuivre-manganèse de grande pureté comprenant 0,05 à 20wt% d'un Mn, mis à part des éléments additionnels, le reste consistant en un Cu et des impuretés inévitables. La cible de l'invention est caractéristique en ce qu'elle comprend P : 0,001 à 0,06wtppm, et S : 0,005 à 5wtppm, et en ce qu'elle comprend aussi un Ca et un Si, la teneur totale en P, S, Ca et Si étant de 0,01 à 20wtppm. Ainsi, du fait qu'un élément Mn ainsi que Ca, P, Si et S sont compris en quantité adéquate dans le cuivre, les propriétés de découpe nécessaires dans la phase de fabrication de la cible sont améliorées, et tout en facilitant la fabrication (usinabilité) de la cible, il est possible d'améliorer l'aspect lisse de la surface de la cible, et de limiter la génération de particules lors d'une pulvérisation. Plus précisément, l'invention fournit une cible de pulvérisation d'alliage cuivre-manganèse de grande pureté se révélant utile pour accroître le rendement et la fiabilité d'un article semi-conducteur développant une miniaturisation ainsi qu'une intégration élevée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)