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1. (WO2013111495) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/111495    International Application No.:    PCT/JP2012/083510
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 25.12.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventors: MIYAMICHI, Yusuke; (JP).
DOMOTO, Tatsuya; (JP).
ASANO, Yuji; (JP).
KAMADA, Rui; (JP)
Priority Data:
2012-015095 27.01.2012 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abstract: front page image
(EN)In order to improve the photoelectric conversion efficiency of a photoelectric conversion device, this photoelectric conversion device (11) is provided with an electrode layer (2), a first semiconductor layer (3) that is positioned on the electrode layer (2) and contains a polycrystalline semiconductor, and a second semiconductor layer (4) that is positioned on the first semiconductor layer (3) and forms a p-n junction with the first semiconductor layer (3), and the average particle size of crystal grains in the first semiconductor layer is larger near the surface on the electrode (2) side than the center of the first semiconductor layer (3) in the lamination direction.
(FR)En vue d'améliorer l'efficacité de la conversion photoélectrique d'un dispositif de conversion photoélectrique, la présente invention porte sur un dispositif de conversion photoélectrique (11) pourvu d'une couche d'électrode (2), une première couche semi-conductrice (3) qui est positionnée sur la couche d'électrode (2) et qui contient un semi-conducteur polycristallin, et une seconde couche semi-conductrice (4) qui est positionnée sur la première couche semi-conductrice (3), et forme une jonction p-n avec la première couche semi-conductrice (3). La taille moyenne des particules de grains cristallins dans la première couche semi-conductrice est plus grande à proximité de la surface sur le côté de l'électrode (2) qu'au centre de la première couche semi-conductrice (3) dans la direction de laminage.
(JA) 光電変換装置の光電変換効率を向上させることを目的とする。 光電変換装置11は、電極層2と、電極層2上に配置された、多結晶半導体を含む第1の半導体層3と、第1の半導体層3上に配置された、第1の半導体層3とpn接合を形成する第2の半導体層4とを備えており、第1の半導体層3における結晶粒の平均粒径は、第1の半導体層3の積層方向の中央部よりも電極層2側の表面部の方で大きくなっている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)