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1. (WO2013111461) PLASMA TREATMENT METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/111461    International Application No.:    PCT/JP2012/081838
Publication Date: 01.08.2013 International Filing Date: 07.12.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: INOUE Masaki; (US).
ISHII Kazuhisa; (JP).
NORO Motoki; (TW).
KAWADA Shinji; (TW)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2012-014471 26.01.2012 JP
Title (EN) PLASMA TREATMENT METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Abstract: front page image
(EN)A plasma treatment device which includes a dielectric window (16) comprising SiO2. The insulating film (FL) to be etched comprises silicon carbonitride. In a first plasma treatment step, a treating gas which contains no oxygen gas and contains CH2F2, etc. is used to deposit a protective film (6). In a second plasma treatment step, a treating gas which contains oxygen gas and contains CH3F, etc. is used to etch away the top and other portions of a part having a convex cross-sectional shape.
(FR)Cette invention concerne un dispositif de traitement par plasma comprenant une fenêtre diélectrique (16) comprenant du SiO2. Le film isolant (FL) à graver comprend du carbonitrure de silicium. Une première étape de traitement par plasma consiste à utiliser un gaz de traitement qui ne contient pas d'oxygène gazeux et qui contient du CH2F2 etc., pour déposer un film protecteur (6). Une seconde étape de traitement par plasma consiste à utiliser un gaz de traitement qui contient de l'oxygène gazeux ainsi que du CH3F etc., pour attaquer le dessus et d'autres parties d'une pièce présentant une coupe transversale convexe.
(JA) プラズマ処理装置は、SiOを含む誘電体窓16を用いている。エッチングする絶縁膜FLは、シリコン炭化窒化物からなり、第1プラズマ処理工程における処理ガスは、酸素ガスを含有せず、CH等を含んでおり、保護膜6を堆積する。第2プラズマ処理工程における処理ガスは、酸素ガスを含有し、CHF等を含んでおり、断面凸形状部分の頂面等のエッチングを行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)